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	cmos+dps
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          “寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機標配
          
                                                            
            
                    	
          • 寬動態(tài)攝像機作為攝像機一個非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場合，發(fā)揮了重要的作用。寬動...
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          • 關鍵字：
                        寬動態(tài)攝像機  CCD+DSP  CMOS+DPS                          
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          CMOS振蕩器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1 引言　　　集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
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          • 關鍵字：
                        設計  振蕩器  CMOS                          
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          標準有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序
          
                                                            
            
                    	
          • 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作

       就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創(chuàng)造巨大財
富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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          • 關鍵字：
                        納米  CMOS                          
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          高k柵介質中電荷俘獲行為的脈沖特征分析
          
                                                            
            
                    	
          •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態(tài)充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。

先進CMOS器件高k柵技術的進展

       近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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          • 關鍵字：
                        脈沖  CMOS                          
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          SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術。
　　
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          • 關鍵字：
                        SuVolta  CMOS                          
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          基于DPS寬動態(tài)技術的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 基于DPS寬動態(tài)技術的應用,DPS寬動態(tài)技術　　在逆光情況下，一般都采用超寬動態(tài)攝像機，超寬動態(tài)攝像機的動態(tài)范圍表示攝像機對圖像的最“暗”和最“亮”的調(diào)整范圍，動態(tài)范圍越大圖像所表現(xiàn)的圖層就越豐富、清晰，當然圖像
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          • 關鍵字：
                        應用  技術  動態(tài)  DPS  基于                          
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          安森美半導體擴充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ?????? 6月9日，應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。

　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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          • 關鍵字：
                        安森美  CMOS  NCP4682                          
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          PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗
          
                                                            
            
                    	
          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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          • 關鍵字：
                        SuVolta  CMOS  PowerShrink                          
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          0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設計
          
                                                            
            
                    	
          •  基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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          • 關鍵字：
                        設計  電壓  基準  CMOS  0.18                          
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          基于DPS寬動態(tài)技術的探索與實際應用
          
                                                            
            
                    	
          • 　在攝像機發(fā)展的歲月里，從最初的真空管攝像機發(fā)展到現(xiàn)在的CCD、CMOS、DPS攝像機，隨著攝像機應用的不斷發(fā)展，出現(xiàn)了各種專用的攝像技術，寬動態(tài)技術便是其中之一。對于一些明暗反差強烈的特殊環(huán)境，普通攝像機針對
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          • 關鍵字：
                        實際  應用  探索  技術  DPS  動態(tài)  基于                          
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          一種恒跨導CMOS運算放大器的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：設計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關控制來實現(xiàn)輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結構作為前
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          • 關鍵字：
                        CMOS  運算放大器                            
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          淺析DPS技術概念與優(yōu)勢
          
                                                            
            
                    	
          • DPS(DigitalPixelSystem)是成像和圖像處理領域的一項突破性技術，它革命性的圖像捕獲和處理方式允許將攝像...
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          • 關鍵字：
                        DPS                          
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          雙眼勝過單目：大陸集團新推立體攝像機
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，大陸集團表示將推出新款立體攝像機（StereoCamera），作為其ContiGuard?安全系統(tǒng)元件之一，用于汽車前向...
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          • 關鍵字：
                        大陸集團  立體攝像機  CMOS  CCD傳感器                          
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          低功率CMOS無線射頻芯片設計要點
          
                                                            
            
                    	
          • 無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
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          • 關鍵字：
                        低功率  CMOS  無線射頻芯片  Zigbee                          
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          應用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 提出一種應用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設計。該分頻器采用脈沖吞吐結構，可編程計數(shù)器和吞脈沖計數(shù)器都采用改進的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結構的模擬電路實現(xiàn)，相對于采用數(shù)字電路實現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時，對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實現(xiàn)200～515的分頻比，整個功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        可編程  設計  CMOS  合成器  頻率  應用                          
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