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          瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

          •   瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品,瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。 
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  DRAM  CMOS  

          基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

          • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而,只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進,根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進行識別
          • 關(guān)鍵字: 寬度  檢測  電路設(shè)計  脈沖  CD4013  CMOS  觸發(fā)器  基于  

          采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機方案

          • 什么是CMOS數(shù)碼相機?對于最終用戶而言,采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機與傳統(tǒng)相機沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機需要使用一個35毫
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)碼相機  方案  傳感器  CMOS  處理器  采用  

          索尼向東芝買回工廠 CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

          •   索尼 (Sony)計劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價格,向東芝 (Toshiba)買回一座半導(dǎo)體工廠,好讓用于智能型手機及其他設(shè)備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。   報導(dǎo)指出,索尼于 2008 年,將該座位于日本長崎的工廠賣給東芝。如今買回,將用以加強其 CMOS 傳感器業(yè)務(wù),使其影像傳感器產(chǎn)量,倍增至相當(dāng)于每月 4 萬顆晶圓。   報導(dǎo)補充,索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本,好在 CMOS 影像傳感器的市場,追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

          一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設(shè)計

          • 隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計  相環(huán)  電荷  CMOS  工藝  基于  

          硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

          •   “硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝,硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。   
          • 關(guān)鍵字: CMOS  10nm  

          基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設(shè)計

          • Verilog HDL語言是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的用于邏輯設(shè)計的硬件描述語言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語言設(shè)計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路設(shè)計  敏感  圖像  VerilogHDL  CMOS  基于  

          江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區(qū)

          •   新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一,不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向,新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石,在當(dāng)前更被賦予了全新內(nèi)涵,蘊藏著巨大機遇。在搶抓發(fā)展的大潮中,敢為人先的江陰人當(dāng)然不會放過這一極好的發(fā)展良機。   
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

          基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設(shè)計考慮

          • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標(biāo)準(zhǔn),RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例,介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計概要,從電路設(shè)計到系統(tǒng)觀點,說明芯片設(shè)計和應(yīng)用過程中需要考
          • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計  考慮  射頻  無線  Zigbee  CMOS  基于  

          Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線編程CMOS時鐘發(fā)生器

          •   高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時鐘發(fā)生器。新推出的8路時鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO),能以單一時鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案,與其他時鐘產(chǎn)品相比,Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性,且可分別降低70%的抖動和30%的功耗。
          • 關(guān)鍵字: 芯科實驗室  CMOS  時鐘發(fā)生器  Si5350/51  

          如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS

          • 如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS  說明  這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個警報的主要特點是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此,他們非常適合電池供電。每個電路對將打印出一張A4紙。
          • 關(guān)鍵字: 報警  電路  CMOS  獨立  小型  建立  一個  如何  

          如何建立一個CMOS 4060防盜報警器

          •  如何建立一個CMOS 4060防盜報警器  說明  這是一個區(qū)域報警 - 自動出入和警笛截止定時器。這將容納所有的常閉輸入設(shè)備一般類型 - 例如磁簧觸點 - 鋁箔膠帶 - PIRs等,但它很容易添加一個常開觸發(fā)。示意圖  當(dāng)
          • 關(guān)鍵字: 防盜報警  CMOS  一個  建立  如何  

          如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警

          •  如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警器說明  這是一個簡單的單區(qū)防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設(shè)計是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用,例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動開關(guān)
          • 關(guān)鍵字: 防區(qū)  報警  CMOS  簡單  建立  一個  如何  

          如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器

          •  如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器  說明  該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。  如果綠
          • 關(guān)鍵字: 防區(qū)  報警器  CMOS  一個  構(gòu)建  基于  如何  

          采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

          • 這個測試儀的基礎(chǔ)是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益,這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低,甚至是很小的信
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電感測試儀  方案    
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