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ST攜手Soitec開發(fā)新一代CMOS圖像感測器技術(shù)
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作，以便於為消費電子產(chǎn)品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術(shù)。 當今最先進的圖像感測器的解析度正不斷提高，而特別是在消費市場，總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發(fā)更小的單個圖元尺寸，同時保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開發(fā)新一代圖像感測器時，背面照度是一項能
- 關(guān)鍵字： ST CMOS 圖像感測器
先進FPGA有助于信息包處理
- 初創(chuàng)公司Cswitch推出一種瞄準網(wǎng)絡(luò)、無線基站和電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質(zhì)陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統(tǒng)FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內(nèi)容地址存儲器）模塊、ALU（算術(shù)邏輯單元）和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執(zhí)行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長的如下應(yīng)用：這類應(yīng)用必須以線速處理打包數(shù)據(jù)，而且要使用比傳統(tǒng)FP
- 關(guān)鍵字： FPGA 信息包處理 Cswitch CMOS
思源科技與聯(lián)華電子支持客制芯片設(shè)計
- 電子設(shè)計自動化領(lǐng)導(dǎo)廠商思源科技與聯(lián)華電子17日共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗證的LakerTM制程設(shè)計套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計與尖端制程上的需求。雙方后續(xù)的合作將專注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得設(shè)計團隊能將不同產(chǎn)品以最快的時程上市。 Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC設(shè)計軟件，能支持聯(lián)華電子的65奈米CMOS(互補金氧半導(dǎo)體制程)標準邏輯制程及混合模式技術(shù)與低
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OmniVision推出全世界最小巧的汽車影像晶片系統(tǒng)
- OmniVision Technologies, Inc.是開發(fā)先進的數(shù)位影像解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，日前所展示的最新 AutoVision 影像解決方案能夠解決汽車業(yè)的需求，為駕駛?cè)酥г畱?yīng)用裝置(如倒車攝影機及盲點偵測系統(tǒng))提供更生動鮮明的影像。僅 1/4 英吋的超薄型 OV7960 和 OV7962 能提供杰出的微光效能 (<0.01/lux)，為全世界最小的 AutoVision CSP (aCSPTM) 封裝，體積比競爭的 CMOS 裝置可小至 50%。 「我們最新的 AutoVis
- 關(guān)鍵字： OmniVision 封裝 CMOS
歐美科學(xué)家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破
- 一個由歐、美兩地研究人員所組成的團隊，讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò)信息流量獲得緩解之道。 該研究團隊成員分別來自瑞士ETH大學(xué)、比利時研究機構(gòu)IMEC、美國Lehigh大學(xué)，以及德國Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(dǎo)(opticalwaveguide)架構(gòu)。 由于在這類組件中，光子信號不必再轉(zhuǎn)換成電子信號，因此被視為是達成全光學(xué)信號傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達成這個目標，研究人員采用S
- 關(guān)鍵字： 硅芯片 CMOS
美國研制出納米級憶阻器芯片
- 美國密歇根大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報》(Nano Letters)上的此項研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復(fù)性問題，所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。
- 關(guān)鍵字： CMOS 芯片 憶阻器
3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計
- 設(shè)計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關(guān)進行優(yōu)化設(shè)計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
- 關(guān)鍵字： CMOS GHz VCO LC
IBM將與法國LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)
- IBM與法國原子能署下屬的電子資訊科技實驗室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級材料，設(shè)備及制造工藝方面進行合作，合約期為5年。 研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導(dǎo)體公司在法國Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團隊則將在Albany Nanotech公司開展這項研究工作。CEA/LETI將不會加入I
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm
無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點。而最近發(fā)布的CMOS時鐘發(fā)生器主要是針對有線應(yīng)用設(shè)計的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點使其能夠非常容易地擴展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 趨勢 頻率 CMOS 設(shè)備 無線
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