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          國(guó)產(chǎn)無(wú)反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

          • 根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)(CIPA)公布的數(shù)據(jù),2024 年 1 月至 5 月,中國(guó)市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%,躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng),如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織,正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹(shù)也表示,2023 年中國(guó)數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng),其中無(wú)反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%,預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù),無(wú)反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
          • 關(guān)鍵字: 無(wú)反相機(jī)  CMOS  傳感器  

          打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫(huà)幅CMOS成功試產(chǎn):業(yè)內(nèi)首顆

          • 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫(huà)幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱CIS),為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái),與思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上,所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫(huà)幅CIS的成功試產(chǎn),既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
          • 關(guān)鍵字: CMOS  晶合  圖像傳感器  索尼  

          業(yè)內(nèi)首顆!國(guó)產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫(huà)幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

          • 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫(huà)幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?!?產(chǎn)品圖,圖源晶合集成,下同據(jù)介紹,為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺(tái),攜手思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上,所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限,同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中,拼接后的芯片依
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CIS  

          使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

          • 為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后,我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

          CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真

          • 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí),由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類(lèi)功耗:動(dòng)態(tài),當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài),由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類(lèi)型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí),由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
          • 關(guān)鍵字: CMOS,反相器,功耗  仿真,LTspice  

          CMOS反相器的功耗

          • 本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō),低功耗是一個(gè)理想的功能,當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí),這尤其有益。正如計(jì)算機(jī)CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣,充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
          • 關(guān)鍵字: CMOS,反相器,功耗  

          Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

          • Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用,其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上,在
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  Flash  

          TTL與CMOS,很基礎(chǔ)但很多人不知道

          • 問(wèn)題引入在工作中,會(huì)遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為:OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路,流(電流)控元器件。而OD門(mén)的功率損耗一般是小于OC門(mén),為什么?電平TTL電平:輸出電平:高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平:高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平:輸出電平:高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平:高電平Uih >= 0.7*VCC U
          • 關(guān)鍵字: TTL電路  CMOS  

          CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法,快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩

          • 用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異,實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè),大大提高了檢測(cè)效率,同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢,檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么,相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合,并具備:色彩校正矩陣,用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn);高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對(duì)比度;靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置,準(zhǔn)確觸發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  色彩  CMOS  

          CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法,快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩

          • 用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異,實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè),大大提高了檢測(cè)效率,同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢,檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問(wèn):無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么,相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?答:Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合,并具備:? 色彩校正矩陣,用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對(duì)比度?
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  色彩算法  

          CMOS 2.0 革命

          • 受到威脅的不是摩爾定律本身,而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  

          臺(tái)積電熊本新廠建筑工程上個(gè)月末已完成

          • 1月8日消息,據(jù)報(bào)道,日本熊本放送消息,臺(tái)積電日本熊本新廠建筑工程在上個(gè)月末已完成,預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn),目前處于設(shè)備移入進(jìn)機(jī)階段。另外,該廠開(kāi)幕式預(yù)計(jì)在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示,臺(tái)積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺(tái)積電、持股近20%的索尼,以及持股約10%的日本電裝(DENSO),熊本第一工廠計(jì)劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導(dǎo)體,初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器(ISP),其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU,電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺(tái)積
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  索尼  日本電裝  CMOS  ISP  MCU  

          CIS 產(chǎn)能誘惑再起

          • 移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代,在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段,有 3~4 類(lèi)芯片會(huì)沖在前面,呈現(xiàn)出明顯的增長(zhǎng)勢(shì)頭,存儲(chǔ)器是典型代表,還有一種芯片也很搶眼,那就是 CIS(CMOS 圖像傳感器),它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng)過(guò)程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇,CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域:手機(jī)、安防和汽車(chē)。當(dāng)然,CIS 在工業(yè)和其它消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日,全球 CIS 市場(chǎng)排名第二的三星電子發(fā)出通知,將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  

          英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù):在 60nm 柵距下實(shí)現(xiàn) CFET

          • IT之家 12 月 10 日消息,由于當(dāng)下摩爾定律放緩,堆疊晶體管概念重獲關(guān)注,IMEC (比利時(shí)微電子研究中心)于 2018 年提出了堆疊互補(bǔ)晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)(IT之家注:即垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)),英特爾和臺(tái)積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM 2023)上,英特爾展示了多項(xiàng)技術(shù)突破,并強(qiáng)調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先,英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管方面取得的突
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  CMOS  

          下一代CMOS邏輯,邁入1nm時(shí)代

          • 3D 亞納米時(shí)代,CMOS 邏輯電路如何發(fā)展?
          • 關(guān)鍵字: CMOS  
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