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用基于CMOS技術(shù)的接收器芯片設(shè)計(jì)高性價(jià)比的汽車收
- 高增長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國(guó)已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級(jí)和快速增長(zhǎng)的汽車市場(chǎng)。這些市場(chǎng)要求汽車零售價(jià)相對(duì)較低，因此給汽車組件帶來很大的成本壓力。此外，在發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體如美國(guó)、歐洲國(guó)家和日本的汽車市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： CMOS 接收器 芯片設(shè)計(jì) 汽車
CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖
- CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動(dòng)顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
- 關(guān)鍵字： CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
- 關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS
Crocus與中芯國(guó)際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議
- Crocus科技，領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商，和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”)，中國(guó)內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對(duì)汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國(guó)際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 半導(dǎo)體 CMOS
場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 集成電路 焊接
CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)
- 摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 測(cè)試 IDDQ 電路 CMOS
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