cmos“ 文章進(jìn)入cmos“技術(shù)社區(qū)

光電器件、傳感器迎來(lái)快速增長(zhǎng)期

　　光電器件、傳感器/激勵(lì)器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場(chǎng)規(guī)模不大，容易受到市場(chǎng)忽視。但2006-2011期間，預(yù)計(jì)其年平均增長(zhǎng)率約10%，高于整體芯片市場(chǎng)9%的年均增售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。　　本世紀(jì)初期，手機(jī)和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，包括攝像頭手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤背光系統(tǒng)的高亮度白光LED、手機(jī)和其它便攜產(chǎn)品的彩色顯示屏等。多年來(lái)，光電器件和分立器件的市場(chǎng)規(guī)模幾乎相等。但是預(yù)計(jì)到這十年末，光電半導(dǎo)體銷售收入將拉開與分立器件的距離。　　在目前半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中
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45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場(chǎng)

　　中國(guó)芯片制造商中芯國(guó)際(SMIC)宣布，周四公司已經(jīng)對(duì)IBM的45納米集成電路制成技術(shù)加以認(rèn)證。　　SMIC說(shuō)，公司將會(huì)采用IBM的CMOS技術(shù)制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠。CMOS，或者說(shuō)金屬氧化物半導(dǎo)體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。　　公司在一次聯(lián)合聲明中表示，IBM技術(shù)將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動(dòng)電話的元件，以及其他消費(fèi)設(shè)備。該認(rèn)證技術(shù)預(yù)期將對(duì)SMIC的65納米低端技術(shù)加以補(bǔ)充。　　SMIC的總部設(shè)在上海，是中國(guó)最大的晶圓制造
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數(shù)字電源――一個(gè)模擬公司的觀點(diǎn)

　　現(xiàn)在到處都在談?wù)摂?shù)字電源。新成立的公司和已經(jīng)取得牢固地位的半導(dǎo)體廠商都聲稱數(shù)字電源(或者更準(zhǔn)確地說(shuō)，是數(shù)字控制開關(guān)電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說(shuō)，新的數(shù)字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過(guò)時(shí)的模擬開關(guān)穩(wěn)壓器。人們將采用通用的數(shù)字CMOS工藝技術(shù)，而不再需要專有的模擬工藝技術(shù)，同時(shí)還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化：要么數(shù)字化;要么請(qǐng)走開，別再擋路。　　我們先花點(diǎn)時(shí)間來(lái)琢磨一下這個(gè)詞?！皵?shù)字電源”或“數(shù)字控制電源”有幾種不同的含意。最簡(jiǎn)單的定義是通過(guò)數(shù)
關(guān)鍵字：數(shù)字電源模擬 CMOS 嵌入式

TTL和CMOS電平總結(jié)

1，TTL電平(什么是TTL電平)：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。 2，CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3，電平轉(zhuǎn)換電路：因?yàn)門TL和COMS的高低電平
關(guān)鍵字： TTL CMOS 電平嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 嵌入式

產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器

　　本設(shè)計(jì)實(shí)例提供了一種可作為微控制器替代品的簡(jiǎn)單、廉價(jià)及便攜式設(shè)備電路，來(lái)為音頻電路設(shè)計(jì)與調(diào)試提供各種低失真正弦波信號(hào)源。盡管從直接數(shù)字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩(wěn)定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設(shè)計(jì)人員采用凌特科技公司ltspice 免費(fèi)件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個(gè)頻率測(cè)定網(wǎng)絡(luò)以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設(shè)計(jì)均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓?fù)?，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
關(guān)鍵字：正弦波 CMOS 數(shù)字合成器放大器

CMOS邏輯門電路

　　CMOS問(wèn)世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來(lái)者居上、趕超并取代之勢(shì)。 1.組成結(jié)構(gòu) 　　CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負(fù)載，處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。圖1 CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖
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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

　　賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬(wàn)像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機(jī)在拍攝高清(HD)圖像時(shí)，能使用與35毫米膠片攝像機(jī)相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時(shí)允許電影制作人能將觀眾的注意力引導(dǎo)至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng)意價(jià)值的講述故事的手段。　　OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機(jī)以
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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導(dǎo)體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬(wàn)像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機(jī)在拍攝高清（HD）圖像時(shí)，能使用與35毫米膠片攝像機(jī)相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設(shè)計(jì)

　　近年來(lái)，軟件無(wú)線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線電臺(tái)要求對(duì)天線接收的模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對(duì)于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設(shè)計(jì)的用于軟件無(wú)線電臺(tái)12 b A/D轉(zhuǎn)換器中的高精度，高速運(yùn)算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應(yīng)的同時(shí)，得到普通運(yùn)放所達(dá)不到的高增益。　　1 高精度，高速度
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 軟件無(wú)線電 CMOS 放大器放大器

凌力爾特?cái)U(kuò)大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴(kuò)大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴(kuò)展工作溫度范圍以及這些應(yīng)用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級(jí)器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線，有助于在汽車應(yīng)用中常見(jiàn)的嚴(yán)酷環(huán)境條件下確?？煽繑?shù)據(jù)傳輸。　　凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制，同時(shí)其它版本具有接
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 RS422 CMOS

意法半導(dǎo)體（ST）芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級(jí)

　　意法半導(dǎo)體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項(xiàng)先端技術(shù)對(duì)于下一代無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。　　這些系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是在ST的法國(guó)Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級(jí)RF信號(hào)檢測(cè)到下一步信號(hào)處理需要的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。　　ST的半導(dǎo)體成就歸功于公司開發(fā)CM
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2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

　　2007年12月10日，意法半導(dǎo)體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
關(guān)鍵字： ST CMOS 45nm 射頻

CMOS集成電路設(shè)計(jì)中電阻設(shè)計(jì)方法的研究

討論了集成電路設(shè)計(jì)中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實(shí)現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及其不同的作用
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路設(shè)計(jì) 電阻設(shè)計(jì)方法

以有源電感為負(fù)載的CMOS寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負(fù)載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級(jí)聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： CMOS LNA 有源電感負(fù)載

CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

　　1 引言　　利用高速線掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控，具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見(jiàn)的線掃描攝像機(jī)，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強(qiáng)信號(hào)的輸出強(qiáng)度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) TDI CMOS 圖像傳感器傳感器執(zhí)行器