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東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級精確度
- 東京—東芝公司今天宣布，該公司已開發(fā)出一款采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制造的原型參考時鐘振蕩器，該振蕩器達(dá)到了全球最高等級精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器，將為電子設(shè)備的微型化提供支持。 東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項(xiàng)振蕩器技術(shù)。 近年來，對于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴(kuò)及振蕩器，激發(fā)了對超小型振蕩器的興趣。
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IO-Link 收發(fā)器包含集成的降壓型穩(wěn)壓器和LDO
- LT3669/-2 提供具可調(diào)擺率和電流限制的堅(jiān)固線路驅(qū)動器，該擺率和電流限制是外部可調(diào)以優(yōu)化 EMC 性能。這些線路驅(qū)動器每個可提供 / 吸收高達(dá) 250mA 電流，或者當(dāng)連在一起時可提供 / 吸收 500mA，同時最低殘留電壓低于 2.1V。自適應(yīng)線路驅(qū)動器脈沖電路安全地開關(guān)重負(fù)載。這些驅(qū)動器可非常容易地配置為推挽、上拉或下拉，以最大限度地提高系統(tǒng)靈活性。其他特點(diǎn)包括電流限制檢測和過熱停機(jī)。LT3669EUFD 和 LT3669EUFD-2 都有現(xiàn)貨供應(yīng)，采用 28 引腳耐熱性能增強(qiáng)型 4mm x
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兩大戰(zhàn)略 護(hù)航羅姆LDO發(fā)力
- 日前，日本半導(dǎo)體制造商ROHM第一次在中國發(fā)布用于汽車車身系統(tǒng)/動力傳動系統(tǒng)微控制器電源的LDO系列“BD4xxMx”，欲借此在汽車市場發(fā)力。 此次發(fā)布的“BD4xxMx系列”共16個機(jī)型，適用于車身、動力傳動系統(tǒng)MCU電源。 羅姆此時發(fā)布新品，是有著兩大背景因素：一是汽車電裝化和多功能化的發(fā)展，要求電源IC產(chǎn)品擴(kuò)充種類，更大范圍覆蓋所需特性的產(chǎn)品系列;二是，經(jīng)歷了日本地震和泰國洪水這樣的自然災(zāi)害，汽車行業(yè)正在全球推進(jìn)這樣一種策略，即多家公司聯(lián)合采購或所用零部件標(biāo)準(zhǔn)化，以規(guī)避自然災(zāi)害風(fēng)險(xiǎn)。 羅姆
- 關(guān)鍵字： LDO 車載 BD4xxMx MCU電源
英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開關(guān)
- 英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開關(guān)。新款天線調(diào)諧開關(guān)(Aperture tuning)對提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開關(guān)采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長此類設(shè)備的待機(jī)和工作時間?！ 〔捎糜w凌射頻CMOS開關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開關(guān)有利于開
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)最快增速
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計(jì)，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長?！ ‰S著4G/LTE手機(jī)可支持的工作頻段和運(yùn)行模式越來越多，其射頻前端部件設(shè)計(jì)日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線開關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
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RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)。 RFX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長的無線接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場上
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德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。 傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻，但是很難實(shí)現(xiàn)。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達(dá)1微米)。 IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡介
- 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆
- 作為專注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的GPS
- 關(guān)鍵字： 卓勝微電子 CMOS
卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆
- 2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍(lán)牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達(dá)21億美元
- 市場研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計(jì)為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù)：可穿戴電子設(shè)備成功的關(guān)鍵
- 最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設(shè)備受到業(yè)界的極大關(guān)注，但市場一直處于“雷聲大，雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破：小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級”應(yīng)用服務(wù)缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習(xí)慣仍需培養(yǎng)。 從技術(shù)層面上看，先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一，特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應(yīng)用處理器、
- 關(guān)鍵字： 穿戴式 SiP 3D CMOS
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