cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
摸索中前行——中國MEMS眾生相
- 物聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展背景下，可以預(yù)見傳感器率先受益，而MEMS傳感器優(yōu)勢明顯，將成未來趨勢，空間巨大，但是國內(nèi)的MEMS主要靠進(jìn)口，這個產(chǎn)業(yè)何時能崛起。
- 關(guān)鍵字： MEMS
一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)
- 現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求
- 簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法
- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負(fù)載力小，不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因?yàn)?CMOS 的輸入時互補(bǔ)的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL：
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
物聯(lián)網(wǎng)時代，MEMS傳感器發(fā)展面臨更多挑戰(zhàn)
- 上海微技術(shù)工業(yè)研究院(SITRI)協(xié)辦的第二屆MIG亞洲會議上，全球傳感器巨頭暢談了未來的MEMS傳感器發(fā)展戰(zhàn)略;會后本刊還采訪了其他MEMS廠商，請他們談了關(guān)注的方向。
- 關(guān)鍵字： MEMS 數(shù)據(jù)分析 物聯(lián)網(wǎng) DLP 語音控制 201510
MEMS傳感器，左右可穿戴設(shè)備的設(shè)計(jì)走向的中樞
- 剛剛在上海閉幕的MIG大會，這次MEMS行業(yè)標(biāo)桿型的會議首次在中國召開。這次大會無疑為中國MEMS市場的蓬勃前景又注射了一針強(qiáng)心劑。為期三天的會議針對MEMS全行業(yè)包括設(shè)計(jì)，生產(chǎn)，加工，終端等不同企業(yè)進(jìn)行了全面的展示。在中國這樣一個電子消費(fèi)品大國，MEMS傳感器的需求量不言而喻。其中，越來越多的份額被可穿戴設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)等非傳統(tǒng)消費(fèi)電子類產(chǎn)品所占有。 ADI亞太區(qū)微機(jī)電產(chǎn)品市場和應(yīng)用經(jīng)理 趙延輝 MEMS傳感器在可穿戴設(shè)備上的應(yīng)用設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)的手機(jī)等終端的應(yīng)用設(shè)計(jì)有著不同的側(cè)重點(diǎn)。對于這
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法： 1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（3）
- 簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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MEMS傳感器的未來在哪里？ 聽業(yè)界大佬怎么說
- 點(diǎn)按手環(huán)關(guān)閉鬧鐘，打開手機(jī)APP看看昨晚的睡眠狀態(tài)，這是每天伴隨筆者的起床動作。整個過程中，智能手機(jī)、可穿戴產(chǎn)品都包含單個或多個傳感器，正如聯(lián)芯科技總裁錢國良在MIG亞洲大會上講道，“傳感器已無處不在!” 拿蘋果iPhone 6為例，在全部76個芯片中，光MEMS產(chǎn)品有15-16個，占比約19%，隨著更多傳感器的應(yīng)用，這一比例仍在持續(xù)上升。在追逐萬物互聯(lián)，智能生活的今天，傳感器的發(fā)展變化將成為物聯(lián)網(wǎng)時代“智能化”的關(guān)鍵因素。作為傳感器芯片領(lǐng)域的&l
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫
- 過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設(shè)計(jì)業(yè)者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機(jī)行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨(dú)霸局面，透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業(yè)。 目前全球MEMS感測器商機(jī)主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨(dú)占，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下，ME
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫
- 過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設(shè)計(jì)業(yè)者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機(jī)行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨(dú)霸局面，透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業(yè)。 目前全球MEMS感測器商機(jī)主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨(dú)占，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下，ME
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應(yīng)用材料：MEMS市場的爆發(fā)促使200mm市場持續(xù)增長
- 日前在上海舉辦的第二屆MIG亞洲會議上，Yole Développement調(diào)查數(shù)據(jù)指出，從2000年到2020年間，MEMS市場將保持20年的連續(xù)增長，MEMS產(chǎn)品的市場規(guī)模將在2020年超過250億美元，是2000年的5倍。MEMS傳感器市場的爆發(fā)，將成為帶動物聯(lián)網(wǎng)市場前進(jìn)的重要因素。 站在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的最上游，也許我們能夠更清楚地看出MEMS市場的發(fā)展方向，集微網(wǎng)與全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商美國應(yīng)用材料公司的兩位專家，戰(zhàn)略和技術(shù)營銷總監(jiān)Miche
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