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          板子上的MOSFET莫名炸機,多半是這個原因!

          • MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!
          • 關鍵字: MOSFET  ZLG  

          瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

          • 最近,瑞森研發(fā)部對功率MOSFET的技術進行了更新?lián)Q代,這種技術改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場,可以進一步減小EPI層的厚度,降低導通電阻Rds(on)。
          • 關鍵字: MOSFET  瑞森  

          如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

          • 該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制,并進一步指出為了避免寄生導通,在選取MOSFET時應遵循什么準則。
          • 關鍵字: MOSFET  英飛凌  

          你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重?

          • 在開關電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發(fā)熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導致發(fā)熱呢?本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示,對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管,如圖2所
          • 關鍵字: MOSFET  ZLG  

          最全!20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件,工溫最高175℃

          • 中國半導體功率器件十強企業(yè):揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續(xù)數(shù)年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領先的的分立器件研發(fā)企業(yè):長晶科技(JSCJ)· 主要產(chǎn)品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
          • 關鍵字: MOSFET  楊杰科技  長晶科技  

          聞達精芯之安,泰然創(chuàng)新于世

          • 安世半導體(Nexperia)是全球半導體行業(yè)公認的基礎半導體器件生產(chǎn)專家,持續(xù)穩(wěn)定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質量標準的高效產(chǎn)品。
          • 關鍵字: 202204  MOSFET  

          同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”

          • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型,新產(chǎn)品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業(yè)設備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題,在這種背景下,電動汽車充電樁、服務器和基站等工業(yè)設備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升,因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
          • 關鍵字: MOSFET  

          英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進一步降低應用損耗并提高可靠性

          • 在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關市場需求,英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術,廣泛適用于大功率應用,包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電
          • 關鍵字: MOSFET  

          東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設備開關電源,其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外,開關
          • 關鍵字: MOSFET  

          恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動交通領域的采用

          • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布與日立能源合作,加快碳化硅(SiC)電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案,更高效可靠且功能安全,該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件,可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程,提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
          • 關鍵字: MOSFET  

          如何為開關電源選擇合適的MOSFET?

          • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復雜。圖1:降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩(wěn)壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設置的占空比進行開關操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
          • 關鍵字: 開關電源  MOSFET  

          Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

          • 基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真,并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源,工程師此
          • 關鍵字: Nexperia  電熱模型  MOSFET  

          羅姆SiC評估板測評:快充測試

          • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅動空載輸出12V,gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉55V  2A dcdc驅動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度,3uS左右總結由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應設備
          • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

          • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
          • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
          • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  
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