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coolsic mosfet 文章進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區(qū)

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
關(guān)鍵字： MOSFET 電源設(shè)計(jì)

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2

飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動(dòng)器

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： TI MOSFET 導(dǎo)通電阻

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對(duì)象也是越來越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時(shí)候，因?yàn)镻C上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
關(guān)鍵字： Simulink 仿真速度操作系統(tǒng) MOSFET

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流

安森美用于辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案

電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個(gè)領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠睢⒄障鄼C(jī)、ATM機(jī)、電動(dòng)縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化等。
關(guān)鍵字：安森美電機(jī)驅(qū)動(dòng) 步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

Vishay 聯(lián)袂中國(guó)電源學(xué)會(huì)舉辦電源專題研討會(huì)

2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將與中國(guó)電源學(xué)會(huì)合作于10月16日舉辦電源專題研討會(huì)，該研討會(huì)內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會(huì)將在中國(guó)武漢的長(zhǎng)江大酒店召開。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間

摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r(shí)的死區(qū)時(shí)間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，甚至使那些過時(shí)的設(shè)計(jì)方案也能達(dá)到更好的性能。
關(guān)鍵字： ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時(shí)鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負(fù)載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓范圍(5.5V至16V)等特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：麥瑞 MOSFET MIC4604

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 電壓型電流源

通過集成式解決方案進(jìn)一步簡(jiǎn)化PFC電路的設(shè)計(jì)

開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢(shì)，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關(guān)電源包括大批量不同功率的應(yīng)用，例如LED/LCD電視機(jī)、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
關(guān)鍵字： PFC LED HiperPFS MOSFET CCM

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡(jiǎn)化電源的設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計(jì) MOSFET

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號(hào)： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計(jì)和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計(jì)–進(jìn)一步強(qiáng)化，引入傳動(dòng)系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET IGBT 整流器

以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作

摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時(shí)使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。本文詳細(xì)分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實(shí)現(xiàn)這一性能的。
關(guān)鍵字：飛兆 Power POL MOSFET 晶圓

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