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coolsic mosfet 文章進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區(qū)

影響MOSFET性能的一些因素

在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進(jìn)。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
關(guān)鍵字： MOSFET

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET DC-DC FastIRFET

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場...
關(guān)鍵字：場效應(yīng)管 MOSFET

分立器件一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器

LTC4366高壓浪涌抑制器實例應(yīng)用講解（獨家）

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導(dǎo)通電阻

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 工頻變壓器

LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨家收錄）

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

日本無線株式會社（總部：東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長：小倉　良）開發(fā)出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān) ...
關(guān)鍵字：內(nèi)置 MOSFET 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
關(guān)鍵字：飛兆驅(qū)動器 MOSFET

東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 智能手機(jī) 移動設(shè)備

東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET TK9J90E

東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴(kuò)充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 鋰離子電池

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