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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic mosfet

          恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

          • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

          Vishay將舉辦中國西部電源研討會

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars),時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術(shù)報告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會面向研發(fā)工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費參加。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          提供低損耗大功率的MOSFET

          • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當?shù)哪芰浚瑥亩斐呻娫葱?..
          • 關(guān)鍵字: 低損耗  大功率  MOSFET  

          根據(jù)應(yīng)用恰當選擇MOSFET的技巧

          • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟,為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  導通阻抗  開關(guān)電源  

          MOSFET應(yīng)用案例解析

          • 1.開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導通和關(guān)斷。同時,有數(shù)十種拓撲可用于開關(guān)電源,這...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  應(yīng)用案例  

          MOSFET的選型基礎(chǔ)

          • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  選型  應(yīng)用概覽  

          求解每個熱源功率損耗的新方法

          • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù),...
          • 關(guān)鍵字: 熱源功率  損耗  MOSFET  

          功率器件更加智能,高能效功率電子技術(shù)新進展

          • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越...
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  工藝材料  MOSFET  

          大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

          大功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

          • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整...
          • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動  

          汽車電子功率MOSFET解決方案

          • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
          • 關(guān)鍵字: 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

          用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

          • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

          • 關(guān)鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

          瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件

          • 高級半導體解決方案領(lǐng)導廠商瑞薩電子公司(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品(如無線電動工具和電動自行車)中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET,以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍,其中3款新產(chǎn)品(包括N0413N)具有40V的電壓容差,而另外3款新產(chǎn)品(包括N0601N)具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平,是延長電池壽命的理性之選。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  N0413N  

          高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展

          • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到2030年,受益于采用半導體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進展
          • 關(guān)鍵字: 安森美半導體  MOSFET  

          IR推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計

          •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計師手冊,內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計技巧等。   IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
          • 關(guān)鍵字: IR  微電子繼電器  MOSFET  
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