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          茂德與海力士拆伙 擬與TMC合作

          •   據(jù)臺灣媒體報道,臺灣DRAM廠茂德科技董事會日前決議,與合作伙伴韓國海力士半導體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示,未來將轉(zhuǎn)與臺灣內(nèi)存公司(TMC)等合作。   茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯(lián)盟合約,不僅延續(xù)雙方既有的技術(shù)合作伙伴關(guān)系,海力士將技轉(zhuǎn)50納米世代堆疊式DRAM制程技術(shù)給茂德;海力士還斥資新臺幣34.56億元,取得5.76億股茂德私募增資股。   此外,海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會董監(jiān)事改選中,順利當選董事。   只是在茂德制程技術(shù)尚未推
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  50納米  

          臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科

          •   臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極,除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資,近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股,打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行,目前整起投資案正由外資機構(gòu)評估中。存儲器業(yè)者透露,華亞科擬引進英特爾投資,主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作,阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大,甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。   存儲器業(yè)者透露,華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金,除爭取資金挹注,另一個重要原因,就是希望藉
          • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  NAND  

          PC市場回暖 7月DRAM內(nèi)存價格上漲10%

          •   隨著全球PC廠商準備應對返校季節(jié)和圣誕節(jié)的銷售,DRAM計算機內(nèi)存價格正在上漲。由于微軟Windows 7操作系統(tǒng)即將推出,內(nèi)存價格上漲將超過人們的預期。   Windows 7將在10月22日推出的消息令人們興奮不已。主要原因是Windows 7到目前為止的測試結(jié)果贏得了好評,引起了Windows 7最終將把Windows XP用戶吸引過來的希望。Windows XP在市場上占統(tǒng)治地位已經(jīng)有8年時間了。Windows 7還為PC應用一些新功能鋪平了道路。這種情況也會推動銷售。   據(jù)DRAMeX
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  內(nèi)存芯片  

          三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM

          •   7月21日三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產(chǎn)品全世界首次進入量產(chǎn)。同時該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。   據(jù)悉,繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后,該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過不斷簡化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時間,極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競爭力。   三星電子表示,新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
          • 關(guān)鍵字: 三星  40納米  Dram  

          三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資

          •   電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱,預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。   該報未指明消息來源稱,三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。   三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱,三星預計下半年投資“略高于”上半年。   該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模,或是迄今的已投資額。   ETnews報稱,芯片業(yè)務下半年的投資將側(cè)重于引進更先進的生產(chǎn)技術(shù),比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  30納米  NAND  

          三星增資 臺灣DRAM廠面臨嚴峻考驗

          •   三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲器先進制程,對于臺灣DRAM廠來說,又將面臨一次嚴峻的考驗。   DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來看,很難靠一己之力對外籌資。也因此,包括韓國、日本等國政府都已出手金援,相形之下,臺灣DRAM廠迄無政府資金奧援,儼然落居劣勢。   由于資金壓力緊迫,加上政府產(chǎn)業(yè)再造計劃仍沒有進一步具體動作,甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位,近期臺塑集團旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動募資計畫,將有助提升臺灣DRAM 產(chǎn)業(yè)競爭力與韓系業(yè)者勢力抗衡。   伴隨
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  存儲器  

          DRAM廠縮衣節(jié)食 資本支出大幅縮減

          •   2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預估,將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算,2009年的總資本支出也頂多10億美元,較目前規(guī)劃的金額減少6億美元,充分反應對存儲器市場看法的保守;此外,臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉(zhuǎn)進50納米,2009年資本支出規(guī)劃超過新臺幣100億元,力晶資本支出不到50億美元,茂德更無資本支出可言。   DRAM業(yè)者表示,以
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  存儲器  

          臺灣DRAM廠面臨內(nèi)憂外患

          •   三星破天荒公布第二季獲利預估,優(yōu)于市場預期,業(yè)界認為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域,以現(xiàn)況來看,面板需求暢旺無虞,但半導體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域,則仍有觀察空間。   近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠,紛紛看好下半年DRAM價格走勢,為市場信心吞下一顆定心丸。   但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場預期,在記憶體價格仍未見明顯起色下,是否會以其他部門的獲利,來彌補存儲事業(yè)虧損,進而持續(xù)以&
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  半導體芯片  

          臺塑集團和TMC戰(zhàn)火激烈 臺DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線再起爭論

          •   華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言,9日更傳出臺塑集團搶在TMC前面,向“經(jīng)濟部”和國發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對此南亞科和華亞科表示,在幾天前的確以南亞科的名義,向工業(yè)局送出研發(fā)補助草案,非正式送件,也與DRAM整合無關(guān),正式的整合計畫書將于近期送出;惟臺塑集團和TMC之間的戰(zhàn)火,各方互不相讓。   “經(jīng)濟部”針對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合成立TMC,選定爾必達作為臺灣技術(shù)主軸,引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪,臺塑集團首先出面拒絕加入
          • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  

          臺塑將申請政府注資 投入DRAM技術(shù)開發(fā)

          •   臺塑集團的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺“經(jīng)濟部”提出資金援助申請,希望政府支持臺塑集團投入技術(shù)開發(fā)計劃。預計將向政府爭取國發(fā)基金的資金挹注,額度約在200億至300億臺幣。   在臺灣當局今年年初出面主導成立臺灣記憶體公司(TMC),希望藉此進行動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)產(chǎn)業(yè)整合再造後,臺塑集團在4月初時曾表示,與海外技術(shù)夥伴美光不會加入TMC陣營,反之希望政府比照TMC,予以資金等支持。   報導引述華亞科總經(jīng)理高啟全稱,有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司,現(xiàn)也
          • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  

          臺灣DRAM廠 面臨內(nèi)憂外患

          •   三星破天荒公布第二季獲利預估,優(yōu)于市場預期,業(yè)界認為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域,以現(xiàn)況來看,面板需求暢旺無虞,但半導體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域,則仍有觀察空間。   近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠,紛紛看好下半年DRAM價格走勢,為市場信心吞下一顆定心丸。   但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場預期,在記憶體價格仍未見明顯起色下,是否會以其他部門的獲利,來彌補存儲事業(yè)虧損,進而持續(xù)以&
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  存儲器  

          集成電路發(fā)展哲理

          •   半導體技術(shù)極其豐富多彩,身陷其景,會有“不識廬山真面目,只緣身在此山中”的感觸。為此,既要“近賞細微”,又要“臨空瀏覽”,以期從中領悟到一些哲理。   本演講根據(jù)半導體技術(shù)“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發(fā)展史事,探討主流半導體技術(shù)的發(fā)展哲理,供大家參考討論。   發(fā)展歷程   根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1],可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段:
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  CMOS  EPROM  DSP  DRAM  MPU  200907  

          英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

          •   全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。   按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。   在DRAM領域,三星一直是技術(shù)領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。   究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  存儲器  

          臺灣媒體社論:政府救DRAM產(chǎn)業(yè)救到那里去了?

          •   日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省日前依據(jù)“產(chǎn)業(yè)再生法”,決定透過該國政策投資銀行(DBJ),對DRAM大廠爾必達投資300億日圓,DBJ并將與日本民間四大銀行連手提供超過1,000億日圓融資,協(xié)助爾必達度過難關(guān)。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣二階俊博在記者會上表示,“爾必達的經(jīng)營若出狀況,將對日本電子產(chǎn)業(yè)造成極大影響,因此政府決定提供金援”。   看到這則新聞,讓人不無感慨。馬英九去年12月4日曾告訴外籍記者:“臺灣DRAM廠倒了,我們的IT產(chǎn)業(yè)就糟糕了。”他
          • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  手機  

          全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升

          •   市調(diào)機構(gòu)InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。   原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉(zhuǎn)。   由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  DRAM  NAND  34納米  
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