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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？
- 據(jù)IDC預測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關(guān)鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來大牛市 內(nèi)存將連漲7個季度
- 最近的疫情危機給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內(nèi)存漲價要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內(nèi)存市場的發(fā)展趨勢，他認為內(nèi)存漲價將持續(xù)至少7個
- 關(guān)鍵字： DRAM、內(nèi)存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
內(nèi)存和存儲的應用熱點與解決方案
- Raj Talluri? （美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理） 1 內(nèi)存和存儲領(lǐng)域會出現(xiàn)哪些應用或技術(shù)熱點 數(shù)據(jù)爆發(fā)推動了各個技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲的需求，而云和移動是當前內(nèi)存和存儲的最大需求來源?！ ≡谝苿宇I(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長，智能手機比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計算攝影、面部識別、增強現(xiàn)實等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND?！ ∨c此同時，5G網(wǎng)絡的普及將刺激對DRAM和N
- 關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM AI
2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會減少?！ ￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經(jīng)近5個季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
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儒卓力與愛普科技簽署全球分銷協(xié)議
- 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲解決方案供應商愛普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項分銷協(xié)議涵蓋了愛普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場的獨家分銷商。愛普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲解決方案，重點產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長壽命支持的標準DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場，存儲器是系統(tǒng)性
- 關(guān)鍵字： RAM DRAM
日韓決裂，半導體誰最受傷？
- 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
- 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 半導體 光刻 DRAM
美光推出面向移動應用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點
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