cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區(qū)
一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝。 相較于一般的DRAM，VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達(dá)45%的成本;這是因?yàn)樗哂懈〉腣LT內(nèi)存單元，以及驅(qū)動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展的成熟DR
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紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時(shí)不涉足DRAM
- 大陸紫光集團(tuán)在2016年終正式宣布投資總額高達(dá)240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)透露，紫光集團(tuán)由旗下長江存儲公司負(fù)責(zé)推動這項(xiàng)計(jì)畫。紫光集團(tuán)暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項(xiàng)投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運(yùn)作的新合作模式。 由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀(jì)錄
- 根據(jù)ICInsights報(bào)道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%
- 在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價(jià)太狠，IC Insi
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力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好
- 力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)會成立大會時(shí)表示，明年存儲器市況不錯(cuò)，但力晶沒有到大陸生產(chǎn)存儲器的計(jì)劃;同時(shí)他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認(rèn)為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。 20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團(tuán)，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。 由于力晶已經(jīng)前進(jìn)大陸合肥在當(dāng)?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經(jīng)蓋好，明年將進(jìn)
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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)
- 中國大陸紫光集團(tuán)長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計(jì)劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計(jì)公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團(tuán)隊(duì)。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計(jì)劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團(tuán)隊(duì)已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標(biāo)，多方勢力積極主導(dǎo)地位，其中，紫
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SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM 與三星拉近差距
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導(dǎo)體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術(shù)研發(fā)，同時(shí)著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團(tuán)隊(duì)，持續(xù)追求更高的技術(shù)競爭力。 據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計(jì)畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶樣品生產(chǎn)，正進(jìn)行最后的可靠度檢測，預(yù)定2017年第2季由M14新廠正式量
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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)
- 中國大陸紫光集團(tuán)長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計(jì)劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計(jì)公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團(tuán)隊(duì)。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計(jì)劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團(tuán)隊(duì)已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標(biāo)，多方勢力積極主導(dǎo)地位，其中，紫
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SK海力士計(jì)劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計(jì)劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報(bào)
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SK 海力士計(jì)劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計(jì)劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報(bào)
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美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠和華亞科擴(kuò)建案投資達(dá)千億
- 美光全數(shù)收購華亞科股權(quán)，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區(qū)擴(kuò)大投資案，包括3D DRAM封測廠和華亞科擴(kuò)建案，估計(jì)總投資金額上看千億元新臺幣。 美光已網(wǎng)羅前艾克爾總經(jīng)理梁明成出任負(fù)責(zé)美光存儲器后段封測廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預(yù)料將同步宣布相關(guān)人事及擴(kuò)大在臺投資布局。 這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測投資計(jì)劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長鄭文燦及經(jīng)濟(jì)部長等相
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
美光計(jì)劃擴(kuò)大3D DRAM封測廠和華亞科擴(kuò)建案
- 繼以一千三百億元新臺幣收購華亞科股權(quán)后，美光決定擴(kuò)大在臺投資，計(jì)劃在中科興建美光在海外首座3D架構(gòu)的存儲器封測廠，并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項(xiàng)業(yè)務(wù)臺灣區(qū)總經(jīng)理，新投資計(jì)劃預(yù)定十二日宣布。 梁明成四日證實(shí)已于十月底離開艾克爾，但因美光還未正式對布發(fā)布人事，他低調(diào)表示還在休息，詳細(xì)職務(wù)等美光宣布。 據(jù)了解，美光收購華亞科股權(quán)案已進(jìn)入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預(yù)定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺主持，預(yù)料
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