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8月份內(nèi)存芯片價格繼續(xù)上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價格達到數(shù)年來的最低點后開始上揚，8月份繼續(xù)上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%，為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%，為每個1.45美元。 內(nèi)存芯片價格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學生會攜新筆記本返?；蚱涓改纲徺I臺式機。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會使內(nèi)存市場價格上揚，有時價格會一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 今年微軟Wi
- 關鍵字： 奇夢達 內(nèi)存 DDR3 DDR2
8月份內(nèi)存芯片價格繼續(xù)上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價格達到數(shù)年來的最低點后開始上揚，8月份繼續(xù)上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%，為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%，為每個1.45美元。 內(nèi)存芯片價格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學生會攜新筆記本返校或其父母購買臺式機。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會使內(nèi)存市場價格上揚，有時價格會一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 今年微軟Wi
- 關鍵字： 奇夢達 內(nèi)存芯片 DDR3 DDR2
6月全球芯片設備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開始發(fā)力
- 市場調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導體設備訂單出貨比11個月來首次超過1。 VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來首次突破1。6月全球設備訂單額達25億美元，較5月增長40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長31%，達24億美元，但較去年6月減少57%。 VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢。后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長，后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長
- 關鍵字： 半導體設備 SDRAM 存儲器 芯片設備
2009第二季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收漲幅高達27.1%
- 根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，2009年第二季，DRAM合約價在減產(chǎn)效應持續(xù)發(fā)酵，計算機系統(tǒng)廠商在低價持續(xù)拉高庫存水位下，第二季DRAM合約季均價上漲23%?，F(xiàn)貨價格亦在減產(chǎn)效應下，供給吃緊，DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨價格在五月一度站上1.27美元。許多市場人士樂觀期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，傳出某DRAM廠商釋出低價顆粒到現(xiàn)貨市場，而使六月現(xiàn)貨價格維持在1.05至1.19間盤整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨季均價上漲27%，約1.12美元。 第二季
- 關鍵字： Elpida DRAM DDR2
嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實現(xiàn)
- 嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實現(xiàn),介紹一種用于嵌入式實時圖像處理系統(tǒng)的SDRAM控制器的實現(xiàn)方案。根據(jù)實時系統(tǒng)對數(shù)據(jù)傳輸速率及連續(xù)性的要求，將SDRAM配置為全頁突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數(shù)據(jù)緩沖器。為配合SDRAM的全頁操作模式，并充分利用其高速讀寫性能，將FIFO設計為基于乒乓操作的流水線結構，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的無縫緩存。將該方案用于實時紅外熱成像系統(tǒng)，經(jīng)實驗結果表明，該SDRAM控制器執(zhí)行效率高，占用資源少，可移植性強。
- 關鍵字： SDRAM 控制器 實現(xiàn) 理系 處理 實時 圖像 嵌入式
恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
三星DRAM藏伏筆 臺廠忐忑難安
- 過去一向扮演DRAM市場領頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價上漲過程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠，再度有喘息機會，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠對
- 關鍵字： 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設計(08-100)
- DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標準組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個時鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦裕獶DR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、延時、功耗等方面都有了顯著提高，而這些性能的提高，主要來源于以下技術的提升：ODT，Post CAS，4n數(shù)據(jù)預取，封裝等。
- 關鍵字： 思科 DDR2 SDRAM
ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求
- 極高性能的浮點DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應用提升特性: 片上存儲器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲器接口及連接端口 中國 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專業(yè)數(shù)字音頻應用正在不斷逼
- 關鍵字： DSP SHARC處理器 DDR2 SDRAM ADI
DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應用
- 引言 DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準,與上一代DDR內(nèi)存技術標準相比，雖然采用時鐘的上升／下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力(即：4 bit數(shù)據(jù)讀預取)。即就是，DDR2內(nèi)存每時鐘能以4倍的外部總線速度讀／寫數(shù)據(jù),并且能以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
- 關鍵字： 嵌入式 內(nèi)存 DDR2 存儲器
DDR3：千呼萬喚始出來 尤抱琵琶半遮面
- 內(nèi)存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進入了其生命的最后歷程。 隨著電腦技術以及應用軟件的不斷進步，在各種應用當中， DDR2內(nèi)存無論在性能還是功耗上對現(xiàn)今以及未來的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業(yè)的領跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍圖中，我們可以看見DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進能為我們帶來什么好處呢？
- 關鍵字： DDR3 Windows Vista 功耗 內(nèi)存 DDR2
爾必達宣布減產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)能10%
- 繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后，日本內(nèi)存芯片廠商爾必達在昨天正式對外宣布，自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%，全球每月內(nèi)存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。 力晶前天對外正式宣布將減少10-15%的標準型DRAM產(chǎn)量，即相當于每個月將近1.5萬片的12吋晶圓，同時推遲新廠建設日程，希望以此舒緩全球嚴重供過于求的形勢。 作為力晶的重要策略合作伙伴，爾必達昨天的聲明對于即將進入第四季傳統(tǒng)淡季的內(nèi)存芯片行業(yè)來說，可能是個好消息，尤其爾必達是國際大廠之一。雖然兩家公司的
- 關鍵字： 爾必達 力晶 內(nèi)存芯片 DDR2
SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應用
- 任意波形發(fā)生器在雷達、通信領域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達復雜信號。本文介紹的基于動態(tài)存儲器(SDRAM)的設計能有效解決這一問題,并詳細討論了一種簡化SDRAM控制器的設計方法。
- 關鍵字： SDRAM 任意波形發(fā)生器 中的應用
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