采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。
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分辨率 顯示 方案 多功能 實現(xiàn) A3P125 SDRAM 基于
三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。
三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。
存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
據(jù)臺灣媒體報道，威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應短缺問題，到今年下半年，供需缺口可能會達到10%。
據(jù)報道，很多DRAM生產商已將部分DDR-2芯片產能轉為生產DDR-3，這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。
報道稱，自春節(jié)假期結束以來，DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。
威剛科技主要生產USB閃盤驅動器。
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威剛 DRAM DDR2
據(jù)臺灣經濟日報報道，內存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔心，資訊產品供應鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。
威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實缺工問題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產品會面臨這個問題。
根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價2.35美元，創(chuàng)近一個多月新
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茂德 DDR2 DRAM
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。
Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。
Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。
根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。
但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
DDR3來臨
第三季度，下一代DRAM技術——DDR3看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產業(yè)務。
由于中芯過去兩年以SDRAM填補產能，成為國內消費性電子產品及家電市場SDRAM最大供應商，此次停產后導致市場供貨短缺效應逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價近日飆出新天價，臺灣地區(qū)SDRAM供應商受惠最大。
中芯這兩年因SDRAM月投片產能維持在2萬片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費性電子及家電市場，擁有超過30%的市場占有率，
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中芯國際 芯片代工 SDRAM
2010年PC主流內存標準從DDR2向DDR3的轉換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產能從DDR2向DDR3轉換的步伐。根據(jù)稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經明顯加快了增產DDR3的步伐。
另一家DRAM大廠
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DRAM DDR2 DDR3
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產能轉走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。
臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存儲器
韓國內存廠商Hynix日前宣布他們已經完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產品的開發(fā)，這款產品將主要面向移動設備，可在智能手機，平板電腦等移動設備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產。
這款內存芯片產品的數(shù)據(jù)傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。
Hynix宣稱這款芯片產品采用了44nm制程技術制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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Hynix 44nm DDR2 內存芯片
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM DDR2 DDR3
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM 存儲 DDR3 DDR2
1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內存技術標準，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質量更好等優(yōu)點，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設計中由于存儲
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控制器 設計 SDRAM DDR3 Stratix III 基于 控制器
存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術的進一步發(fā)展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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SDRAM 多路 讀寫 接口設計
韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產這種芯片產品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。
這次通過驗證的Hynix產品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
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