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ddr2 文章 進(jìn)入ddr2技術(shù)社區(qū)
基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
- 關(guān)鍵字： USB2.0 DDR2 數(shù)據(jù)采集
基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設(shè)計(jì)分析
- DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，能夠在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時(shí)鐘頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
- 關(guān)鍵字： Cyclone FPGA DDR2 III
ASIC原型驗(yàn)證板DDR2 速率再攀高峰
- 唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗(yàn)證平臺(tái)半年來(lái)在用戶項(xiàng)目使用中，從性能、價(jià)格、穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)已得到了用戶的很高評(píng)價(jià)，當(dāng)然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機(jī)會(huì)，把握用戶提出的問(wèn)題和建議，配合用戶完成項(xiàng)目的同時(shí)對(duì)這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對(duì)唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會(huì)，而且?guī)醉?xiàng)技術(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
- 關(guān)鍵字： ASIC DDR2
基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)
- 摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時(shí)提出了對(duì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現(xiàn)方法。
0 引 - 關(guān)鍵字： DDR2 FPGA USB 數(shù)據(jù)采集
基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)
- 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì), 本白皮書(shū)討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
- 關(guān)鍵字： 接口 控制器 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于
美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本
- 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對(duì)平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺(tái)。尺寸和電池壽命對(duì)于平板電腦市場(chǎng)十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場(chǎng)的 理想存儲(chǔ)解決方案。 美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過(guò)渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點(diǎn)， 反映出美光對(duì)市場(chǎng)所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級(jí)到2Gb 的元件除了容量提
- 關(guān)鍵字： 美光 50納米 DDR2
鎂光開(kāi)始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片
- 鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場(chǎng)。 該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開(kāi)發(fā)代號(hào)Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實(shí)現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。 得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。 鎂光預(yù)計(jì)這種DD2存儲(chǔ)芯片將在2010年9月開(kāi)始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
- 關(guān)鍵字： 鎂光 50納米 DDR2
inSpectrum：內(nèi)存/閃存芯片現(xiàn)貨價(jià)格本周出現(xiàn)下降
- 據(jù)inSpectrum市調(diào)機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示，由于本周內(nèi)存/閃存芯片的現(xiàn)貨市場(chǎng)需求量有所下滑，因此各大存儲(chǔ)芯片廠商均對(duì)這些產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格進(jìn)行了調(diào)整。 其中1Gb密度DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格下調(diào)了5-6%，均價(jià)于4月30日下午達(dá)到2.62美元價(jià)位;而1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價(jià)格則下跌了3%，均價(jià)2.85美元。 近期內(nèi)存芯片的市場(chǎng)需求表現(xiàn)較為弱勢(shì)，加上又沒(méi)有其它可以驅(qū)動(dòng)芯片價(jià)格上漲的因素存在，而早先人們預(yù)計(jì)五一節(jié)假日期間大陸市場(chǎng)可能會(huì)發(fā)生的內(nèi)存/閃存芯片價(jià)格回彈現(xiàn)象也由于實(shí)際的購(gòu)買(mǎi)量并沒(méi)有實(shí)
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片 閃存芯片 DDR2
威剛董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，威剛科技董事長(zhǎng)陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開(kāi)始，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)市場(chǎng)可能會(huì)面臨供應(yīng)短缺問(wèn)題，到今年下半年，供需缺口可能會(huì)達(dá)到10%。 據(jù)報(bào)道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動(dòng)DDR-2芯片價(jià)格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。 報(bào)道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來(lái)，DDR2現(xiàn)貨價(jià)格已上漲6.8%。 威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字： 威剛 DRAM DDR2
臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號(hào)角響起，DDR2現(xiàn)貨價(jià)打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會(huì)出現(xiàn)缺貨潮。 威剛董事長(zhǎng)陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實(shí)缺工問(wèn)題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會(huì)面臨這個(gè)問(wèn)題。 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報(bào)價(jià)，1Gb DDR2有效測(cè)試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價(jià)2.35美元，創(chuàng)近一個(gè)多月新
- 關(guān)鍵字： 茂德 DDR2 DRAM
DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3
- 報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。 Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。 Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過(guò)工藝升級(jí)的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3來(lái)臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
- 2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 另一家DRAM大廠
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。 臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3 存儲(chǔ)器
ddr2介紹
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制 [ 查看詳細(xì) ]
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