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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP
- ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
- 關(guān)鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲(chǔ)器 單片機(jī) 工藝 接口 納米 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器
三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量
- 據(jù)國(guó)外媒體援引消息人士透露，韓國(guó)芯片巨頭三星電子計(jì)劃進(jìn)一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬(wàn)個(gè) “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計(jì)劃進(jìn)一步壓縮5000萬(wàn)個(gè)單位。這位消息人士說(shuō)，三星電子計(jì)劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場(chǎng)供不應(yīng)求的NAND閃存產(chǎn)品。 三星電子這個(gè)舉措符合存儲(chǔ)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli對(duì)明年DRAM市場(chǎng)所作的估計(jì)。據(jù)這家機(jī)構(gòu)
- 關(guān)鍵字： DDR2 三星 閃存
DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)
- 根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過(guò)低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測(cè)試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。 適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場(chǎng)上買(mǎi)家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫(kù)存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買(mǎi)貨增加庫(kù)存，使得上周現(xiàn)貨市場(chǎng)方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
- 關(guān)鍵字： DDR2 NAND 價(jià)格 閃存
美商凱創(chuàng)獲獎(jiǎng)入侵偵測(cè)系統(tǒng)Dragon新版問(wèn)世
- 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品Dragon入侵偵測(cè)系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
- 關(guān)鍵字： IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
ddr2介紹
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制 [ 查看詳細(xì) ]
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