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	ddr3-2133
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          美高森美與 New Wave DV合作開發(fā)用于以太網(wǎng)和光纖通道解決方案的創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和IP內(nèi)核
          
                                                            
            
                    	
          • 　　致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布與New Wave Design & Verification (New Wave DV)合作開發(fā)網(wǎng)絡(luò)硬件和光纖通道IP內(nèi)核。現(xiàn)在，PMC/XMC 卡和IP內(nèi)核均可用于美高森美的SmartFusion2® SoC FPGA和IGLOO2® FPGA器件，能夠為用以太網(wǎng)和/或光纖通道的新型國防、航空航天、企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用加快開發(fā)周期。
　　美高
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          • 關(guān)鍵字：
                        美高森美  FPGA  DDR3                          
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          Intel絕妙創(chuàng)意：同時兼容DDR3/DDR4規(guī)格
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時候，Intel總是同時提供支持，主板廠商也會推出一些同時有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說其實也支持DDR3但屏蔽了)，實在有點激進。
　　不過，Intel其實還有一個鬼點子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來的LPDDR4共享一種接口規(guī)格，隨便更換、升級。
　　

 
　　Universal DIMM(U
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  DDR3  DDR4                          
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          關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設(shè)計的分析
          
                                                            
            
                    	
          • 　　游戲機、數(shù)字電視(DTV)和個人電腦等流行的消費類電子產(chǎn)品的功能越來越多，性能也越來越高。這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理能力的增強使它們的DRAM存儲器接口功能與產(chǎn)品本身的功能緊密聯(lián)系在一起，以支持更多功能和更高性能。數(shù)據(jù)速率達數(shù)Gbps的存儲器接口架構(gòu)可以幫助這些產(chǎn)品實現(xiàn)所需的功能和性能，但是存儲器接口設(shè)計必須克服艱巨的挑戰(zhàn)才能達到想要的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。
　　更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能，完全可以克服數(shù)Gbps存儲器接口架構(gòu)帶來的挑戰(zhàn)。但是，DDR3 SDR
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  DRAM  DDR3                          
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          第一季度DRAM營業(yè)收入增長 市場保持上行走勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)IHS公司的DRAM市場動態(tài)簡報，在平均銷售價格上升的推動下，DRAM市場繼續(xù)上行，第一季度營業(yè)收入連續(xù)第二個月環(huán)比增長。
　　今年1-3月DRAM營業(yè)收入從2012年第四季度的67億美元增長到71億美元，而且高于第三季度的64億美元。第一季度營業(yè)收入創(chuàng)出了將近兩年來的最高水平，僅低于2011年第二季度的81億美元，如圖2所示。
　　圖2：全球DRAM營業(yè)收入概況(單位是10億美元)
　　

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　　DRAM市場的強勁表現(xiàn)主要源于商品型DRAM領(lǐng)域的增長，此前由于出貨量未能跟上
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  DDR3                          
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          針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要 　　本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路板（PCB）時，考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項，這些是具有相當大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3  DDR  800  PCB                            
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          IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
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          • 關(guān)鍵字：
                        IDT  DDR3  LRDIMM                          
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          IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用
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          • 關(guān)鍵字：
                        IDT  DDR3  模擬芯片                          
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          相當重口味!獨家華碩ROG主板暴力拆解
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　泡泡網(wǎng)主板頻道3月7日 一提到華碩的高端主板，我們首先都會想到華碩的ROG些列主板產(chǎn)品，其定位頂級發(fā)燒用戶，其極致的超頻性能以及相當奢華且精致的做工用料一直是廣大DIY愛好者做夢都想得到的頂級裝備。
　　不過，對于大多數(shù)DIYer來說ROG主板還是比較陌生的產(chǎn)物，筆者今日有幸拿到了一款高貴的ROG系列主板，為了讓更多的DIY愛好者能夠?qū)OG主板有一個感性的認識，忍痛對此主板進行了完全的拆解，包括每一個很小很小的MOS管元器件都要從PCB板上完全地拆除掉，總共拆成了2百多塊零件并把它們整齊地擺放好給
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          • 關(guān)鍵字：
                        華碩  主板  DDR3                            
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          DDR3測試的挑戰(zhàn)及解決方法
          
                                                            
            
                    	
          • 前言作為DDR2的繼任者，根據(jù)JEDEC標準, 目前DDR3的數(shù)據(jù)速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗的同時, DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個DRAM市場低迷，DDR3的出貨量遠
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3  測試  方法                            
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          DRAM價格十一月繼續(xù)走低
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受到泰國水患影響硬盤供應(yīng)鏈，以及正逢P(guān)C步入淡季，DRAM 11月下旬合約價再跌，DDR3 4GB跌幅約7.9%，2GB跌幅近7.3%，雖然南科與爾必達宣布減產(chǎn)，但投片到產(chǎn)出需2個月的時間，因此效果要到明年第1季才有機會浮現(xiàn)。
　　集邦科技指出，由于11月份PC-OEM買貨意愿不高，甚至傳出部分訂單被取消，DRAM廠在出貨壓力下，只好再降價銷售，DRAM 11月下旬合約價公布，DDR3 4GB均價來到17.5美元，跌幅約7.9%，DDR3 2G
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  DDR3                          
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          爾必達25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成
          
                                                            
            
                    	
          • 　　爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。
　 
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  DDR3  25nm                          
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          是好是壞 全球內(nèi)存現(xiàn)貨價格近日大漲
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內(nèi)存現(xiàn)貨價格近日持續(xù)大漲，DDR32GB有效測試顆粒(eTT)現(xiàn)貨價19日大漲6.91%，順利站上1美元大關(guān)，漲勢從而引發(fā)市況好轉(zhuǎn)的聯(lián)想。
　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖表示，返校需求沒有預(yù)期差，加上內(nèi)地十一長假的備料需求，預(yù)計通路庫存大約剩下2至3周，比起7月中旬1個月以上的庫存來看，價格壓力可望寬緩一些。
　 
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存  DDR3                          
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          第三季度及下半年 DRAM價格預(yù)計下挫
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應(yīng)嚴重過剩和價格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。
　　主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預(yù)計第三季度將降到1.60美元，比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅，此前在第二季度表現(xiàn)異常堅挺，價格只比第一季度下降5%，如圖4所示。第四季度價格可能進一步下降22%至1.25美元，接近許多生產(chǎn)商的現(xiàn)金成本。一年前的第三季度，價格還保持在4.70美元。

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                        iSuppli  DRAM  DDR3                          
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          第3季度DRAM展望
          
                                                            
            
                    	
          • 　　第2季DRAM報價下跌幅度相當大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DRAM市場持續(xù)陷入供過于求情況。
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                        DRAM  DDR3                          
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          DDR3仍是主流DRAM技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3  DRAM                          
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