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          臺(tái)灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁

          •     近來(lái)臺(tái)灣DRAM晶圓廠人事異動(dòng)頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國(guó),以及力晶(5346)原創(chuàng)始元老曾邦助,都相繼轉(zhuǎn)換跑道,為其他DRAM業(yè)者效力,加上華邦電近半年來(lái)亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況,DRAM業(yè)界多認(rèn)為,盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作,但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。    華邦電發(fā)言人溫萬(wàn)壽19日表示,王其國(guó)原任華邦電BG2(Business Group 2)事業(yè)群總經(jīng)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  其他IC  制程  

          半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

          •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高,理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開(kāi)始減緩。     據(jù)了解,花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”,韓國(guó)三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小?。分析師指出,價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底,而全球
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          300mm線建設(shè)今年掀高潮

          • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢(shì)比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長(zhǎng)。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè),當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊,可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。 
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

          •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學(xué)會(huì) 2004年12月13~15日于美國(guó)舊金山舉行)國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中,英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          上半年全球DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)66% 中國(guó)成決定因素

          •   iSuppli最新發(fā)布的報(bào)告指出,今年上半年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模比去年同期增長(zhǎng)66%,中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國(guó))的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善,其DRAM銷售增 長(zhǎng)70%。美國(guó)僅僅增長(zhǎng)48%,遠(yuǎn)不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺(tái)灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長(zhǎng);而三星、美光與英飛凌的市場(chǎng)份額則在下降。中國(guó)是全球增長(zhǎng)最迅速的DRAM市場(chǎng),Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,市場(chǎng)占有率高達(dá)42%,去年同期為40%。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲(chǔ)器  

          美商凱創(chuàng)獲獎(jiǎng)入侵偵測(cè)系統(tǒng)Dragon新版問(wèn)世

          • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內(nèi)發(fā)表其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品Dragon入侵偵測(cè)系統(tǒng)(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
          • 關(guān)鍵字: IDS  凱創(chuàng)  DDR2  DRAM  

          1993年,第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功

          •   1993年,第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。
          • 關(guān)鍵字: 華晶  DRAM  

          1985年,第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功

          •   1985年,第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  
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          ddr5 dram介紹

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