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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了：頻率、帶寬提升，功耗降低
- 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過一開始會(huì)用在服務(wù)器上，后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長(zhǎng)鑫與3家公司合作
- 6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國(guó)產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導(dǎo)，門檻太高。合肥長(zhǎng)鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級(jí)別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級(jí)產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲(chǔ)器大廠南亞科28日召開年度股東常會(huì)，會(huì)中董事長(zhǎng)吳嘉昭對(duì)于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(zhǎng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會(huì)議等各項(xiàng)需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因?yàn)楦黜?xiàng)不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！
- 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動(dòng),無論是消費(fèi)級(jí)還是企業(yè)級(jí)。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái),明年某個(gè)時(shí)候則會(huì)帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時(shí)不詳(據(jù)說最多38核心),
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三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過40% 但銷售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷售額下滑1
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 SK海力士 DDR5
SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?！ 『?jiǎn)單來說，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……）。 核心容量密度方面，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB?！ ∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲(chǔ)單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲(chǔ)單元（圖1 (a)）在電
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到
- 據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會(huì)在韓國(guó)平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時(shí)宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬(wàn)。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時(shí)間。三星估計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會(huì)比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
- 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
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中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
- 關(guān)鍵字： 美光 內(nèi)存 DDR5
中國(guó)芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報(bào)道稱美國(guó)美光公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國(guó)媒體報(bào)道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國(guó)地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國(guó)區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時(shí)中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃,對(duì)客戶的供貨也會(huì)出現(xiàn)問題。針對(duì)這些報(bào)道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國(guó)際性新冠
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