ddr5 dram 文章 進入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案
- 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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DDR5內(nèi)存標準確定，中國企業(yè)的標準沒能入選
- 都說一流的企業(yè)定標準，可見能夠參與制定標準的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術(shù)競爭史，也是中國通信技術(shù)的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標準有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發(fā)明的DDR
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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PC 新時代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達 6.4Gbps，單芯片密度達 64Gbit
- 作為計算機內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時也大大增加了內(nèi)存容量。基于新標準的硬件預(yù)計將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標準來了：頻率、帶寬提升，功耗降低
- 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進行量產(chǎn)，不過一開始會用在服務(wù)器上，后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標準主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作
- 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！
- 因為種種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務(wù)器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進,兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標準的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾?！ 『唵蝸碚f，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時序瑟瑟發(fā)抖……）?！ 『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。 其它參數(shù)也均有明顯改進，兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到
- 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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