ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高
- 三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市占率第一，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%，營收突破200億美元，不但刷新自身紀(jì)錄，也成為存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。 據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻
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三星開始量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM，采用ArF液浸四重曝光
- 韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產(chǎn)采用10nm級(jí)工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(jí)(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲(chǔ)電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調(diào)公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場(chǎng)所向披靡 手機(jī)份額萎縮
- 三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告，結(jié)果一則以喜，一則以憂，雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個(gè)營收主力，也就是手機(jī)部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí)，三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則，營運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上，有如此結(jié)果也不令人意外。 據(jù) 三星統(tǒng)計(jì)，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個(gè)百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板 等行動(dòng)產(chǎn)品減緩，但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場(chǎng)將持續(xù)成長。除此之外，三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對(duì)存儲(chǔ)器的需求展望。 在
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈
- 受來自PC部門需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來，單季營收連續(xù)5季衰退。 在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價(jià)季衰退幅度超過2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營業(yè)
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三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
- 三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來在DRAM市場(chǎng)上，勢(shì)必將更具價(jià)格競爭力。 根據(jù)韓媒ETnews報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的價(jià)格越來越低，越快將成本壓到比下滑的市場(chǎng)價(jià)格更低的話，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會(huì)產(chǎn)生赤字。以目前看來，2016年美光最需擔(dān)憂的就是赤字問題，因?yàn)槊拦鉀]能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對(duì)未來季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%
- 美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營運(yùn)將有壓力。 受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。 美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價(jià)格或跌40%
- 全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊(duì)的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場(chǎng)今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%。 跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠
- 28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工，建成后將成為中國最大、最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司，一時(shí)間中國半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。 中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
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無廠DRAM企業(yè)Sino King 意圖革新商業(yè)模式
- 前日本爾必達(dá)(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設(shè)IC設(shè)計(jì)公司Sino King Technology，指出目前半導(dǎo)體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強(qiáng)調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺(tái)積電。 而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲(chǔ)器為重，不
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大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒影響
- 針對(duì)中國將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢(shì)必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成，預(yù)期5年內(nèi)將不會(huì)造成DRAM市場(chǎng)的影響，短期內(nèi)難有進(jìn)展。 李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場(chǎng)結(jié)構(gòu)，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計(jì)劃。中國若未能取得技術(shù)來源，短 期
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TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行
- 自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機(jī)品牌商皆計(jì)畫調(diào)降今年首季的出貨計(jì)畫，整體市場(chǎng)開始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示，受益于庫存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表，2月中起中國手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫存回補(bǔ)的需求。此外，中國智慧型手機(jī)營運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率，針對(duì)數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度，也推升消費(fèi)者的購買欲望。 TrendForce預(yù)估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動(dòng)工
- 大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。 業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
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