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          半導(dǎo)體前景看好 韓后段制程設(shè)備廠笑開(kāi)懷

          •   南韓半導(dǎo)體后段制程設(shè)備廠下半年?duì)I收展望亮起綠燈,韓系半導(dǎo)體大廠三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)將擴(kuò)產(chǎn)DRAM,增加后段制程處理量,臺(tái)灣及大陸將擴(kuò)充晶圓代工設(shè)備并增加非內(nèi)存產(chǎn)量等,將為南韓半導(dǎo)體后段制程設(shè)備廠帶來(lái)正面影響。   據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo),TechWing和HanmiSemiconductor第3季營(yíng)收將出現(xiàn)二位數(shù)以上的成長(zhǎng),UniTest與2013年同期相比也可望創(chuàng)造亮眼的成果。   2014年三星和SK海力士擴(kuò)產(chǎn)DRAM和NANDFlash,
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  三星  DRAM  

          搶食蘋(píng)果A9失利 三星多余產(chǎn)能恐轉(zhuǎn)進(jìn)DRAM

          •   三星爭(zhēng)奪蘋(píng)果新世代處理器訂單失利,半導(dǎo)體設(shè)備廠分析,將迫使三星將多余產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM或快閃存儲(chǔ)器,恐對(duì)明年下半年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)形成新的隱憂。   三星日前一再表示,未來(lái)會(huì)節(jié)制性推升產(chǎn)能,但市場(chǎng)持續(xù)關(guān)注三星是否會(huì)重新拿回大部分蘋(píng)果新世代處理器訂單,因?yàn)槿羧桥c蘋(píng)果重修舊好,將可抵銷(xiāo)手機(jī)銷(xiāo)售的不利,同時(shí)減緩將產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM或快閃存儲(chǔ)器的壓力。   法人分析,三星因蘋(píng)果處理器代工訂單流失,加上自家手機(jī)銷(xiāo)售不佳,導(dǎo)致獲利主軸重回存儲(chǔ)器,今年首季存儲(chǔ)器占總獲利僅14%,但第3季占比已竄升至近六成,其中,1
          • 關(guān)鍵字: 三星  蘋(píng)果  DRAM  

          第三季全球移動(dòng)存儲(chǔ)器營(yíng)收34.6億美元

          •   TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示,全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在 2014年第三季達(dá)34.6億美元,季成長(zhǎng)6%,占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導(dǎo)體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動(dòng)式記憶體龍頭,而且市占首度突破50%,儼然成為一方霸主,讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。   雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài),導(dǎo)致第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格小幅度下滑,但因位元產(chǎn)出增加,全球行動(dòng)式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  SK海力士  

          存儲(chǔ)器再成三星最大獲利來(lái)源 4Q產(chǎn)值恐較前季衰退

          •   三星電子(Samsung Electronics)過(guò)去最大獲利來(lái)源─半導(dǎo)體事業(yè),自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業(yè)部取代,至3年后的2014年第3季,方因IM事業(yè)獲利急轉(zhuǎn)直下,供需結(jié)構(gòu)已趨于穩(wěn)定的半導(dǎo)體事業(yè)再度成為三星最大獲利來(lái)源。   因包括標(biāo)準(zhǔn)型(Standard)、行動(dòng)裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫,三星2014年第3季DRAM營(yíng)收較前季成長(zhǎng)18.7%,達(dá)5.32兆
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  三星  DRAM  

          制程在競(jìng)賽 獲利很穩(wěn)定

          •   三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進(jìn)入20納米世代,盡管市場(chǎng)憂心恐造成供給大增、壓抑價(jià)格走勢(shì),但DRAM業(yè)者強(qiáng)調(diào),制程微縮并非一、兩天可以完成,期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問(wèn)題,因此盡管資本支出龐大,明年DRAM價(jià)格仍可望持穩(wěn),業(yè)者仍會(huì)穩(wěn)定獲利。   集邦協(xié)理吳雅婷表示,三星及SK海力士在制程推進(jìn)至25納米期間,都吃足苦頭,預(yù)料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程,同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進(jìn)入28納米制程時(shí),因良率無(wú)法有效提升,黯然宣告中止,部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)回35納米,
          • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  美光  DRAM  

          DRAM報(bào)價(jià)下跌 行情恐反轉(zhuǎn)

          •   DRAM行情出現(xiàn)反轉(zhuǎn)訊號(hào),專(zhuān)業(yè)報(bào)價(jià)機(jī)構(gòu)集邦科技昨(17)日公布11月上旬DRAM合約價(jià)終止連續(xù)半年漲勢(shì),最高較10月下旬下跌4.5%,預(yù)期明年首季將續(xù)跌5%至7%,法人憂心隨著報(bào)價(jià)走弱,恐不利南亞科、華亞科短期營(yíng)運(yùn)。   盡管合約價(jià)走勢(shì)露疲態(tài),南亞科資深副總經(jīng)理李培瑛強(qiáng)調(diào),目前DRAM市況穩(wěn)定,個(gè)人計(jì)算機(jī)及服務(wù)器市場(chǎng)仍供不應(yīng)求,但低功率、消費(fèi)及現(xiàn)貨市況持平。他預(yù)估,南亞科本季整體產(chǎn)品平均售價(jià)估計(jì)將較第3季下滑3%至5%,整體營(yíng)運(yùn)還是會(huì)不錯(cuò)。   據(jù)悉,三星日前與個(gè)人計(jì)算機(jī)大廠惠普,協(xié)議第4季標(biāo)準(zhǔn)型
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          韓國(guó)企業(yè)在DRAM市場(chǎng)占比逼近全球70%

          •   韓國(guó)國(guó)際廣播電臺(tái)報(bào)道:韓國(guó)企業(yè)在世界半導(dǎo)體DRAM市場(chǎng)的占比已逼近70%,創(chuàng)歷來(lái)最高紀(jì)錄。   據(jù)半導(dǎo)體電子交易網(wǎng)“Dramexchange”發(fā)布的報(bào)告顯示,今年第三季度在世界半導(dǎo)體DRAM市場(chǎng)上的占有率,韓國(guó)為69.7%,美國(guó)為24.2%,中國(guó)臺(tái)灣為6.1%。   這是韓國(guó)繼2012年第四季度創(chuàng)下69.6%紀(jì)錄后的最高紀(jì)錄。半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為,隨著三星電子和SK海力士的產(chǎn)量持續(xù)增加,韓國(guó)占比將有望超過(guò)70%。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DRAMeXchange:DRAM均價(jià)逐季降 產(chǎn)值明年續(xù)升

          •   根據(jù)DRAM研調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新研究報(bào)告顯示,第三季三大DRAM廠積極調(diào)配旗下產(chǎn)能以應(yīng)付蘋(píng)果iPhone新機(jī)龐大行動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求﹔在排擠效應(yīng)下,標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器產(chǎn)出減少,帶動(dòng)第三季合約價(jià)格持續(xù)上漲,供貨吃緊下標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產(chǎn)品。DRAMeXchange表示,明年雖然平均銷(xiāo)售單價(jià)將逐季往下,但在位元產(chǎn)出仍持續(xù)增加的拉抬下,DRAM整體產(chǎn)值將持續(xù)攀升。   該機(jī)構(gòu)表示,今年第三季DRAM產(chǎn)值達(dá)120億美元,較上季成長(zhǎng)11%,單季營(yíng)收再度創(chuàng)下新高。在產(chǎn)業(yè)寡占結(jié)構(gòu)下,市場(chǎng)仍
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  存儲(chǔ)器  

          移動(dòng)存儲(chǔ)器全球產(chǎn)能大陸吃掉近3成,2015年突破4成

          •   隨著大陸市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放,GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng),伴隨而來(lái)的就是驚人的消費(fèi)潛力﹔無(wú)論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把大陸市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。根據(jù)存儲(chǔ)器研調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新研究顯示,以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算,2014年大陸市場(chǎng)在DRAM的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億美元,占全球產(chǎn)能19.2%。   從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀察,PC-DRAM在大陸市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%,內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁讓PC龍頭聯(lián)想逐漸壯大,以并購(gòu)的方式擠身一線大廠之列﹔目前全球PC出貨量與惠普在伯仲之間,在大陸市
          • 關(guān)鍵字: DRAM  PC-DRAM  

          第三季DRAM產(chǎn)值120億美元、成長(zhǎng)11%

          •   TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新研究報(bào)告顯示, 2014年第三季三大DRAM廠積極調(diào)配旗下產(chǎn)能,以因應(yīng)蘋(píng)果(Apple) iPhone 新機(jī)龐大行動(dòng)式記憶體的需求,在排擠效應(yīng)下,標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出減少,帶動(dòng)第三季合約價(jià)格持續(xù)上漲,供貨吃緊下標(biāo)準(zhǔn)型記憶體蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產(chǎn)品。DRAMeXchange表示,2014年第三季DRAM產(chǎn)值達(dá)120億美元,較上季成長(zhǎng)11%,單季營(yíng)收再度創(chuàng)下新高。   在各DRAM廠產(chǎn)品比重調(diào)配得宜與先進(jìn)制程產(chǎn)出增加下,其獲利能力皆
          • 關(guān)鍵字: DRAM  海力士  三星  

          下游需求高企 2014年中國(guó)內(nèi)存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

          •   TrendForce最新研究報(bào)告顯示,隨著中國(guó)市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放,GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng),所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費(fèi)潛力,無(wú)論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把中國(guó)市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算,2014年中國(guó)市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億,分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。   從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀察,PC-DRAM在中國(guó)市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%,內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  Flash  

          全球半導(dǎo)體市況良好 韓廠火熱、日廠躊躇

          •   全球半導(dǎo)體市場(chǎng)第3季,以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上最高營(yíng)收紀(jì)錄,景氣持續(xù)樂(lè)觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長(zhǎng)最多,南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng)新高,然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長(zhǎng)衰退跡象。   據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo),日前美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)宣布,第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收,與前年同期相比成長(zhǎng)8.0%,以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%,也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)在7月預(yù)測(cè)的年度成長(zhǎng)值6.5%。   SIA CEO Brian C. Toohey表示,第3季半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

          美光科技將在日本增產(chǎn)智能手機(jī)存儲(chǔ)器

          •   美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)美光科技(Micron Technology)將增產(chǎn)用于智慧手機(jī)等產(chǎn)品的半導(dǎo)體記憶體。將向去年收購(gòu)的原爾必達(dá)記憶體位于日本廣島的工廠投資1千億日元,力爭(zhēng)2015財(cái)年(截 至15年8月)內(nèi)將產(chǎn)能提高20%。今年美光科技在該工廠時(shí)隔3年重啟大規(guī)模投資,計(jì)劃通過(guò)積極投資來(lái)追趕在相關(guān)領(lǐng)域位居全球首位的韓國(guó)三星電子。   美光科技將在廣島增產(chǎn)使用最尖端微細(xì)加工技術(shù)(線寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線寬相比,從1枚晶圓上可以獲得的半導(dǎo)體晶片數(shù)量將增加約 20%,生產(chǎn)效率將大幅提高。美光
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  存儲(chǔ)器  DRAM  

          物聯(lián)網(wǎng)會(huì)帶來(lái)大量的存儲(chǔ)器/儲(chǔ)存需求嗎?

          •   隨著來(lái)自社交網(wǎng)站、電子商務(wù)以及各種行動(dòng)裝置的數(shù)位資訊流暴增,巨量資料(big data)已經(jīng)為IT基礎(chǔ)建設(shè)帶來(lái)壓力;而當(dāng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)不斷發(fā)展、可穿戴式裝置開(kāi)始興盛,對(duì)記憶體以及快閃記憶體儲(chǔ)存裝置來(lái)的壓力又是什么?   很明顯的是,新一代裝置將對(duì)記憶體以及資料儲(chǔ)存元件的功耗、性能以及外形有獨(dú)特的需求;在此同時(shí),眾多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與可穿戴式裝置的功能,會(huì)只是單純的收集與傳送資訊到云端或資料中心,以進(jìn)行處理。   IHS分析師Cliff Leimbach表示,在物聯(lián)網(wǎng)世界,記憶體將會(huì)被非常廣泛地使用,出
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  存儲(chǔ)器  DRAM  

          第一季度IC市場(chǎng)超過(guò)2000年,全因出貨量大增

          •   市場(chǎng)研究公司IC Insights最近根據(jù)第一季度的數(shù)據(jù),修正了其對(duì)2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)的預(yù)測(cè)。IC Insights的數(shù)據(jù)顯示,雖然2004年第一季度全球IC出貨量比2000年第一季度增長(zhǎng)了30%,但芯片平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)卻下跌了20%。   IC Insights表示,與2003年同期相比,2004年第一季度半導(dǎo)體ASP增長(zhǎng)了5%,但第一季度IC市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要是來(lái)自出貨量的提升。2004年第一季度全球IC市場(chǎng)同比增長(zhǎng)達(dá)32%,其中IC出貨量同比增長(zhǎng)了26%。與2003年第四季度相比,第一季度
          • 關(guān)鍵字: DRAM  MOS顯示驅(qū)動(dòng)器  
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