<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

我要投稿 | 手機(jī)版

首頁　資訊　商機(jī) 　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會(huì)展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例　活動(dòng)中心　 E周刊閱讀　樣片申請(qǐng)

EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

ddr5 dram 文章進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)

南韓媒體稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動(dòng)搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對(duì)此說法，海力士反駁道，目前皆依照計(jì)劃日程順利進(jìn)行轉(zhuǎn)換中?！?/li>
關(guān)鍵字： Hynix DRAM

今年DRAM市場將維持雙位數(shù)成長

　　IHS iSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。　　
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM

iSuppli報(bào)告稱今年DRAM市場將維持雙位數(shù)成長

　　IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。　
關(guān)鍵字：三星 DRAM

應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦需求，更多形式的移動(dòng)DRAM浮現(xiàn)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，目前形式的移動(dòng)DRAM可能不足以滿足智能手機(jī)和平板電腦的需求，因其在處理各種應(yīng)用時(shí)...
關(guān)鍵字： DRAM LLPDDR2 低功耗DDR2

NAND Flash需求急凍模組廠瀕臨警戒線

　　全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
關(guān)鍵字： NAND DRAM

韓DRAM微細(xì)制程比重高

　　據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時(shí)機(jī)較晚，第1季營收多不理想。　　
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM

爾必達(dá)“高明投資”方式應(yīng)對(duì)DRAM需求增長

　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達(dá)到50%/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來應(yīng)對(duì)。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計(jì)劃得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。　　
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM

DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠以爭取時(shí)間

　　DRAM產(chǎn)業(yè)景氣到底復(fù)蘇沒?同樣一個(gè)問題問上游芯片制造商和下游模組廠，可能會(huì)得到兩極化的答案，再看看國際大廠財(cái)報(bào)，對(duì)比一下臺(tái)灣DRAM廠財(cái)報(bào)，可能也會(huì)一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價(jià)格比起2010年第4季水準(zhǔn)，或許大幅改善，但臺(tái)系DRAM廠前債太多，成了繼續(xù)往前走最大的陰影和阻礙，退出品牌、賣廠止血都是被逼到絕路的招數(shù)，但手上牌快出完，賽局卻越來越不利，茂德的困境便是臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的縮影。
關(guān)鍵字：渝德科技 DRAM

茂德計(jì)劃出售重慶8英寸芯片工廠

　　臺(tái)系DRAM廠茂德由于資金窘迫，17日董事會(huì)通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出，規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠，至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府，處分后至少暫時(shí)不需再認(rèn)列渝德廠虧損，對(duì)于手上財(cái)務(wù)資金應(yīng)用可較寬裕。　
關(guān)鍵字：茂德芯片 DRAM

茂德結(jié)束在陸投資

　　DRAM 廠茂德科技日前公告，為集中資源在臺(tái)灣母公司，董事會(huì)決議處分中國子公司重慶渝德科技股份，將暫時(shí)結(jié)束在大陸的投資。茂德是政府開放8吋晶圓廠赴大陸投資的3家公司之一，截至目前，除臺(tái)積電已順利在大陸量產(chǎn)運(yùn)作外，力晶、茂德的西進(jìn)路均不如預(yù)期順利。　　
關(guān)鍵字：茂德 DRAM

三星成DRAM合約價(jià)增長推手

　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問題，導(dǎo)致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過去相當(dāng)少見差距?！?/li>
關(guān)鍵字：三星 DRAM

分析DRAM漲價(jià)成功原因

　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問題，導(dǎo)致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過去相當(dāng)少見差距?！?/li>
關(guān)鍵字：三星 DRAM

創(chuàng)見：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題與景氣無關(guān)

　　創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NAND Flash市場景氣都不錯(cuò)，對(duì)存儲(chǔ)器模塊廠而言，是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年，但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng)，而是臺(tái)灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)在專利都被國際大廠把持，一切都為時(shí)已晚。　
關(guān)鍵字：創(chuàng)見 DRAM

傳爾必達(dá)放棄入股茂德的合作案

　　日經(jīng)新聞12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第3大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)已放棄和全球第7大DRAM廠茂德就加強(qiáng)合作關(guān)系的談判。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)于去年秋天就和臺(tái)灣當(dāng)局及臺(tái)灣銀行團(tuán)針對(duì)包含入股茂德等方案在內(nèi)的救濟(jì)對(duì)策進(jìn)行協(xié)商，惟未能獲得共識(shí)，故爾必達(dá)決議放棄和財(cái)務(wù)體質(zhì)惡化風(fēng)險(xiǎn)高的茂德進(jìn)行合作談判，轉(zhuǎn)而將資源集中于具成長性的行動(dòng)裝置用DRAM事業(yè)。　　
關(guān)鍵字：傳爾必 DRAM

爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM

　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉在三星主要首長團(tuán)會(huì)議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。　　
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM

共1917條 76/128 |‹ « 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 » ›|

ddr5 dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

ddr5 dram相關(guān)帖子

為什么RK3399uboot編譯后會(huì)反復(fù)重啟呢
全球DRAM和NAND市場前景堪憂,價(jià)格或迎來下跌
了解SRAM跟DRAM的區(qū)別在哪里
了解SRAM跟DRAM的區(qū)別在哪里
DDR5內(nèi)存缺貨“真兇“找到了：PMIC電源芯片難產(chǎn) 價(jià)格漲了10倍
行業(yè)首創(chuàng)！美光發(fā)布汽車行業(yè)首份DRAM硬件評(píng)估報(bào)告
帶均衡的data信號(hào)！第一手DDR5仿真資料（下）
全網(wǎng)首發(fā)！第一手DDR5仿真資料（上）

ddr5 dram資料下載

新一代內(nèi)存 DDR5 怎樣改變現(xiàn)狀?
高效檢驗(yàn)和調(diào)試 DDR5 內(nèi)存接口
迎接 DDR5 內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試挑戰(zhàn)
EEPW2014年8月刊(汽車電子)
【白皮書】基于SoC FPGA的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的糾錯(cuò)碼V1.2(Error Correction Code in SoC FPGA-Based Memory Systems V1.2)
一種使用FPGA設(shè)計(jì)的DRAM控制器
DIMM DRAM 168pin內(nèi)存以及其接口定義
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器.

ddr5 dram專欄文章

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();