ddr5 dram 文章 進入ddr5 dram技術社區(qū)
迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能,引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示,原先預期三星明年下半年啟動擴產(chǎn),其進度比預期快得多,惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術超越臺系廠商;對照先前65納米,生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%,臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能,由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多,也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景,有偏多的立場。 南亞科董事
- 關鍵字: 三星電子 DRAM NAND 50納米
三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產(chǎn),但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計畫,主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主,這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年PC市場成長率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍! 權五鉉3月中旬
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
5月DRAM合約價出爐 DDR2持平DDR3小漲
- 原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出,一如市場預期,在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下,DDR2合約價最后持平開出,而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為,在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結果,算是滿意,至于第3季傳統(tǒng)淡季展望,DRAM廠都不敢把話說的太滿,對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示,在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 2010年5月合約價相當難談,幾乎到了快要難產(chǎn)的階段,主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上,與部分PC大客
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單
- 歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷,并開出總額達3.31億歐元的罰單。 歐盟委員會當天發(fā)表聲明說,這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格,其行為損害了市場競爭,違反歐盟反壟斷規(guī)定。 根據(jù)這一聲明,韓國三星電子公司被罰金額最高,為1.457億歐元,其次為歐洲第二大半導體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司,分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉,韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能 競爭對手咋舌
- 三星電子前日宣布,今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內存芯片產(chǎn)能,還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD),以及電視與手機業(yè)務。此外,加上研發(fā)支出,預計三星今年支出總額將達26兆韓元,較去年激增67%,如此大手筆讓人咋舌。 據(jù)悉,三星半導體業(yè)務總裁權五鉉3月在出席GSA內存大會時還表示,三星不會盲目擴大DRAM顆粒產(chǎn)量,但會重視產(chǎn)品價值,穩(wěn)定產(chǎn)品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能,而是應該把注意力放在工藝升級和高端產(chǎn)品的研發(fā)
- 關鍵字: 三星 DRAM 面板
三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產(chǎn),但三星電子卻于17日宣布,2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出,是歷年來規(guī)模最大的投資計畫,主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主,這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈,而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出,三星此舉是看好未來3年PC市場成長率,但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠,狠狠挨了一記悶棍! 權五鉉3月中旬
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
三星電子2010年整體投資將達26兆韓元
- 三星電子在16號半導體生產(chǎn)線開工儀式上表示,2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城,將主要用于生產(chǎn)下一代存儲產(chǎn)品,2011年建成投產(chǎn)后預計能月產(chǎn)12英寸半導體晶片20萬片以上。 2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括:半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
- 關鍵字: 三星電子 DRAM AMOLED
5月DRAM合約價出爐 DDR2持平DDR3小漲
- 原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出,一如市場預期,在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下,DDR2合約價最后持平開出,而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為,在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結果,算是滿意,至于第3季傳統(tǒng)淡季展望,DRAM廠都不敢把話說的太滿,對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示,在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 2010年5月合約價相當難談,幾乎到了快要難產(chǎn)的階段,主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上,與部分PC大客
- 關鍵字: 三星電子 DRAM
光刻設備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉進45納米制程的目標,將正式遞延至2011年第1季,其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨,比原訂時程晚了2~3個月,內部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉進63納米制程作為應變。DRAM業(yè)者皆認為,全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點,會是在2011年! 瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示,瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨,預計在9月之前會有5~6臺
- 關鍵字: 三星電子 DRAM 40納米
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計,三星的市占率高達39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關鍵字: Samsung NAND DRAM
Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭
- DRAM價格走揚,帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元,較去年第4季再成長6.9%;其中,南韓三星市占率達32.3%,穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 集邦科技表示,盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季,不過,在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下,帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡,價格也持續(xù)走揚。 根據(jù)統(tǒng)計,第一季DDR3合約季均價上漲16%,現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面,第1季合約季均價上漲5%,現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 而在產(chǎn)品價格走揚,加上各
- 關鍵字: 三星 DRAM DDR3
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