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	ddr5 mrdimm
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          瑞薩率先推出第二代面向服務器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應商在內(nèi)的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  DDR5 MRDIMM  內(nèi)存接口芯片組                          
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          芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀錄
          
                                                            
            
                    	
          •  10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X 
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          • 關鍵字：
                        芝奇  內(nèi)存  DDR5                          
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          美光推出內(nèi)置時鐘驅(qū)動器的超高速DDR5內(nèi)存系列新品，為AI PC的發(fā)展注入動力
          
                                                            
            
                    	
          • ?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內(nèi)置時鐘驅(qū)動器的全新類型內(nèi)存，即?Crucial??英睿達??DDR5?時鐘驅(qū)動器無緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊?(CUDIMM)?和時鐘驅(qū)動器小型雙列直插式內(nèi)存模塊?(CSODIMM)，并已開始批量出貨。這兩款全新內(nèi)存均符合?JEDEC?標準，運行速度高達?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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          • 關鍵字：
                        美光  時鐘驅(qū)動器  DDR5                          
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          消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月 
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          • 關鍵字：
                        三星  內(nèi)存  DDR5                          
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          SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c
 DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  第六代  10納米級  DDR5 DRAM                          
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          最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著游戲要求越來越高，DDR4 和 DDR5 內(nèi)存之間的差距不斷擴大。
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DDR5                          
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          存儲產(chǎn)業(yè)的下一個“新寵”是？
          
                                                            
            
                    	
          • 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發(fā)展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產(chǎn)業(yè)的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展帶動服務器CPU內(nèi)核數(shù)量同步增加，為滿足多核CPU中各內(nèi)核的數(shù)據(jù)吞吐要求，需要大幅提高內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內(nèi)存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節(jié)當?shù)貢r間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內(nèi)存模組
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          • 關鍵字：
                        存儲產(chǎn)業(yè)  HBM  MRDIMM  MCRDIMM                          
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          美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負載加速
          
                                                            
            
                    	
          • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當前的?TSV RDI
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          • 關鍵字：
                        美光  MRDIMM  低延遲主存  數(shù)據(jù)中心                          
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          美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關鍵內(nèi)存產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其速率在所有主流服務器平臺上均高達5600MT/s。據(jù)介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領先的1β（1-beta）制程技術(shù)，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術(shù)的競品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達22%，2延遲降低高達16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對數(shù)據(jù)中心常見的任務關鍵型應用，包括人工智能（AI）和機器學習（ML）、高性能計算（HPC）、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMD
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          • 關鍵字：
                        DRAM芯片  美光科技  DDR5                          
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          累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%
          
                                                            
            
                    	
          • 5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上漲                          
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          AmpereOne-3 芯片明年亮相：256核，支持 PCIe 6.0 和 DDR5
          
                                                            
            
                    	
          • 4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時表示，將于今年晚些時候推出 AmpereOne-2，配備 12 個內(nèi)存通道，改進性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%，內(nèi)存帶寬將增加多達 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計劃在 2025 年發(fā)布，擁有 256 個核心，采用臺積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進后的 
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          • 關鍵字：
                        AmpereOne-3  芯片  256核  PCIe 6.0  DDR5                          
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          消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 2 月 5 日消息，據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
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          • 關鍵字：
                        三星  32Gb DDR5  內(nèi)存芯片                          
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          大廠有意擴產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存
          
                                                            
            
                    	
          • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認為，海力士擴廠應集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
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          • 關鍵字：
                        DDR5  HBM  內(nèi)存  TrendForce                          
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          存儲模組廠商積極發(fā)力DDR5
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，DDR5日益受到市場青睞。除了原廠持續(xù)布局外，近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5，并持續(xù)看好這類產(chǎn)品后續(xù)發(fā)展。威剛對外表示，現(xiàn)階段觀察到存儲市場需求端主要來自于PC，客戶需求明顯好轉(zhuǎn)，且隨著PC存儲器容量提升，預期明年上半年DDR5將會超越DDR4，形成黃金交叉。以目前現(xiàn)貨市場來看，DDR5單價較DDR4高四至五成，對威剛而言，DDR5比重提升，有助毛利率表現(xiàn)。產(chǎn)品布局方面，威剛DDR5主攻電競市場，已推出LANCER
 BLADE RGB DDR
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          • 關鍵字：
                        存儲模組  DDR5                          
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          存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
          
                                                            
            
                    	
          • 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 
MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K 
CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DDR5  HBM                          
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