ddr5 mrdimm 文章 進(jìn)入ddr5 mrdimm技術(shù)社區(qū)
美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上海——內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊
- 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
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DDR5內(nèi)存與上一代價(jià)差縮小，后市滲透率或借機(jī)提升
- 據(jù)媒體報(bào)道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴(kuò)大，可望推動(dòng)各廠商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來看，TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達(dá)、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當(dāng)前秒殺價(jià)為499元，而今年6月份售價(jià)則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場是DDR5的關(guān)鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
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DDR5價(jià)格漸親民，巨頭紛紛押注推動(dòng)入市
- 近期，DDR4和DDR5價(jià)格持續(xù)下跌，吸引了不少消費(fèi)者的持續(xù)關(guān)注。目前消費(fèi)電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。從積極方面考量，價(jià)格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對(duì)比DDR4的優(yōu)勢從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4
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DDR5內(nèi)存滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費(fèi)的更高要求
- 在過去的十年時(shí)間里，隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負(fù)，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加，為了應(yīng)對(duì)這些海量需求，內(nèi)存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴(kuò)展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前所需性能的最佳解決方案，同時(shí)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展，以滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費(fèi)的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因?yàn)樗麄兊母咝阅芄ぷ髋_(tái)消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時(shí)間延長導(dǎo)致效率降低，甚至無法進(jìn)行多任
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GeIL 推出支持 AMD EXPO 的 DDR5 內(nèi)存，內(nèi)置兩個(gè)小風(fēng)扇
- IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發(fā)布了 EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條，采用了雙風(fēng)扇散熱系統(tǒng)，將 RGB 燈效和雙風(fēng)扇主動(dòng)式的散熱設(shè)計(jì)結(jié)合到一體成型的模組中?，F(xiàn)在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術(shù)的型號(hào)。據(jù)介紹，該系列內(nèi)存采用了 GeIL 獨(dú)家主動(dòng)雙風(fēng)扇散熱系統(tǒng)，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨(dú)家優(yōu)化的 RGB 照明設(shè)計(jì)，兼容 AM5 平臺(tái)。根據(jù) GeIL 之前的介
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朗科DDR5內(nèi)存來了，4800MHz高頻率帶幻彩RGB燈效
- 經(jīng)歷漫長的產(chǎn)品周期，內(nèi)存進(jìn)入了DDR5時(shí)代。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。專業(yè)設(shè)計(jì)、視頻剪輯、大型游戲都離不開高容量高性能的內(nèi)存，為了帶給用戶更好的使用體驗(yàn)，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5。 DDR5將每只模組升級(jí)成2個(gè)獨(dú)立32位子通道，擁有多達(dá)8個(gè)Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個(gè)，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數(shù)據(jù)的同時(shí)降低了數(shù)據(jù)傳輸?shù)却龝r(shí)間，帶來全新的體驗(yàn)。
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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DDR5內(nèi)存到底升級(jí)了什么？
- 隨著11月初各大主板廠商Z690系列主板的發(fā)售，家用電腦上的內(nèi)存終于進(jìn)入了DDR5的時(shí)代。那么DDR5相比過去的DDR4都有哪些變化呢？以及現(xiàn)在值得買嗎？外觀方面在外觀方面，DDR5和DDR4的區(qū)別主要有兩方面。第一，在內(nèi)存條中間的部分多了一些電子模塊。第二，內(nèi)存條下部的防呆口位置發(fā)生了改變。來源：金士頓防呆口位置發(fā)生改變也就意味著DDR5的內(nèi)存條與DDR4的內(nèi)存條物理上不兼容。現(xiàn)在老主板上的內(nèi)存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升級(jí)DDR5的內(nèi)存條就必須換新主板。關(guān)于新主板方面，目前發(fā)售的主板
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三大廠商的DDR5技術(shù)對(duì)比
- 我們剛剛進(jìn)入了DDR5內(nèi)存時(shí)代。自去年以來，所有主要的 DRAM 廠商，如美光、三星和 SK 海力士，都開始發(fā)布他們的第一款 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品（模塊）。此外，如今對(duì) DDR5 產(chǎn)品的需求明顯且肯定超過供應(yīng)。DDR5 是 DRAM 的新標(biāo)準(zhǔn)，旨在滿足計(jì)算、高帶寬、人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 和數(shù)據(jù)分析的需求。在接下來的文章里，我們了解一下這個(gè)新技術(shù)。DDR4 數(shù)據(jù)速率通常在 1,600 MHz 到 3200 MHz 的范圍內(nèi)運(yùn)行，而 DDR5 在數(shù)據(jù)和時(shí)鐘速率方面都在 DDR4 上有
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DDR5究竟有什么奧妙？
- 現(xiàn)在，許多電腦主流使用著DDR4內(nèi)存，DDR5即將正式到來。最近，AMD、Intel在發(fā)布新品時(shí)，都已開始支持DDR5。作為下一代存儲(chǔ)技術(shù)，它究竟有何奧妙？ 去年7月，電子器件工程聯(lián)合會(huì)（JEDEC）終于正式發(fā)布了下一代主流存儲(chǔ)器（DDR5 SDRAM）最終規(guī)范。自90年代末以來，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)歷多次迭代，并且推動(dòng)了PC、服務(wù)器等生態(tài)的快速發(fā)展?！ ?jù)悉，JEDEC最初于2018年提出DDR5內(nèi)存規(guī)范，時(shí)隔兩年，正式版本雖然來得有些晚，但并沒有降低新一代存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的重要性?！ ?/li>
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DDR5能給PC帶來怎樣提升？我們用12款軟件進(jìn)行了對(duì)比測試
- 我們使用了12款專業(yè)測試軟件，分別對(duì)DDR5與DDR4內(nèi)存，在相同平臺(tái)下進(jìn)行了測試體驗(yàn)： 酷睿i9-12900K搭配DDR4與DDR5，總體差距并不是很大； 在y-cruncher測試中，DDR5比DDR4速度快了40％以上； 在Geekbench 5的多線程測試中，DDR5比DDR4快了近20%； 在選購筆記本時(shí)，在其他硬件基本相同，且價(jià)差不大的情況下，更推薦搭載DDR5內(nèi)存產(chǎn)品?！ 〗衲甑谝患径?，惠普、聯(lián)想、華碩等OEM廠商紛紛召開新品發(fā)布會(huì)，游戲本和輕薄本等PC產(chǎn)品開啟了換代升級(jí)。本輪新品升
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DDR5內(nèi)存頻率首次突破10000MHz 進(jìn)入五位數(shù)時(shí)代
- DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無限的。此前呼碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！這也是內(nèi)存頻率第一次達(dá)到五位數(shù)字，進(jìn)入了10GHz+時(shí)代?！ ∵_(dá)成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團(tuán)隊(duì)成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運(yùn)行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004?！ 榱巳绱酥叩念l率，內(nèi)存時(shí)序也放寬到了史無前例的72-126-1
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