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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑
- 經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示，臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng)，但去年增率卻是近三年來首見個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，也結(jié)束自2011年以來的上升走勢(shì)，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長(zhǎng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售成長(zhǎng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。 去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
紫光計(jì)劃今年再收購(gòu)2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面
- 清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng)，接受彭博訪問時(shí)坦承，由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中，主攻DRAM的同方國(guó)芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購(gòu)并對(duì)象。 徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片
- 三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。 HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
美光DRAM表現(xiàn)看弱 市場(chǎng)供需變化使然
- 日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 評(píng)論認(rèn)為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。 據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段，因此，DRAM廠商欲求好表
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
2016年整體DRAM需求預(yù)估成長(zhǎng)23%
- 2016年中國(guó)持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購(gòu)發(fā)生，記憶體方面更是中國(guó)發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM慘跌拖累 美光營(yíng)收衰退近3成
- DRAM市場(chǎng)供過于求，而分散營(yíng)收的努力尚待開花結(jié)果，導(dǎo)致美光(Micron)最新一季營(yíng)收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂觀。 華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報(bào)導(dǎo)，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會(huì)計(jì)年度第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。 在展望方面，美光預(yù)測(cè)本季營(yíng)收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預(yù)估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
大陸扶植DRAM供應(yīng)鏈三部曲
- 市場(chǎng)是開放了，技術(shù)依然要自己發(fā)展，包括華為等過去幾十年發(fā)展起來的巨頭沒有一家是通過市場(chǎng)換技術(shù)換來而是通過自身努力崛起的。
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三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達(dá)10nm
- 韓國(guó)三星電子于2015年12月9日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達(dá)到10nm工藝”?！ ∽罱屑夹g(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲(chǔ)存電荷，對(duì)有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來越小，不能再如愿存儲(chǔ)電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過將電容器做成細(xì)長(zhǎng)的圓柱狀來確保表面積，也就是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
美光關(guān)閉波多黎各DRAM模組廠 產(chǎn)線遷往大陸
- 根據(jù)ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)有意在12月底結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，將生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移至大陸。 美光位于波多黎各Aguadilla的DRAM模組廠占地約4.8萬平方英呎，雇用約200余名勞工。美光表示，迫于市場(chǎng)壓力，該公司將在12月30日結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，產(chǎn)線將遷移至大陸西安?！ 〈箨懓雽?dǎo)體業(yè)對(duì)外購(gòu)并的消息不斷，甚至不惜傾政府之力投入，拉拔半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，先前清華紫光有意出價(jià)230億美元購(gòu)并美光的消息也甚囂塵上。美國(guó)國(guó)會(huì)議員Dana Rohrab
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
跟隨臺(tái)積電登陸，美光DRAM廠也傳遷廠中國(guó)
- 中國(guó)傾全力提高芯片自制比率，對(duì)全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生強(qiáng)烈磁吸效應(yīng)，不僅臺(tái)積電擋不住，美國(guó)內(nèi)存大廠美光(Micron)7日也傳出遷廠中國(guó)消息。 據(jù)ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工廠，生產(chǎn)設(shè)備準(zhǔn)備搬到中國(guó)，將導(dǎo)致185名當(dāng)?shù)貑T工失業(yè)，這對(duì)失業(yè)率已超過12%的波多黎各，無疑是雪上加霜。 美光已為島上即將失業(yè)的員工申請(qǐng)政府救濟(jì)，美光并在聲明稿上表示，遷廠是受迫于市場(chǎng)壓力，在尋無可行替代方案后所做成的決定。 雖然美光在聲明稿上絕口不提中國(guó)，但中國(guó)絕對(duì)是美光遷廠
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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