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四強投資動作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場
- 盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進行轉(zhuǎn)換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，3D NAND技術(shù)是未來存儲器產(chǎn)品主流，然技術(shù)層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn)，預(yù)計2016年真正
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MIC：明年全球半導(dǎo)體衰退1%
- 資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)報告指出，受到新興市場智慧型手機晶片價格快速下滑及需求不佳影響，預(yù)估明年全球半導(dǎo)體市場成長率較今年衰退1%，臺灣半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下，明年產(chǎn)值將達2.2兆元微幅年增2.2%。 資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示，今年臺灣半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如全球，主要受DRAM與IC設(shè)計產(chǎn)值下滑影響，估算今年臺灣IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺幣，年減6%，DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元，年減13%;預(yù)估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測
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全球12吋晶圓產(chǎn)線續(xù)增 18吋晶圓之路漸行漸遠
- 由于12吋晶圓持續(xù)擴大應(yīng)用至非存儲器領(lǐng)域，使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線持續(xù)增加，2015年已超過90條產(chǎn)線，較5年前增加約20條產(chǎn)線，且預(yù)計未來4年將再增加近20條產(chǎn)線，相較之下，18吋晶圓商用化時程則會再往后延緩，業(yè)界預(yù)期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線。 12吋晶圓除應(yīng)用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲器芯片，亦持續(xù)擴大使用在非存儲器產(chǎn)品，包括電源管理芯片、影像感測器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應(yīng)市場需求，將芯片產(chǎn)量最大化，半導(dǎo)體廠在1
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三星DRAM報價下調(diào)20% 華亞科/南亞科下季營收不樂觀
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市場需
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DRAM報價 傳出三星調(diào)降20%
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調(diào)DRAM報價，調(diào)降幅度20%。此舉預(yù)告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現(xiàn)一波修正期，國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預(yù)期。 繼臺積電前天無預(yù)警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。 8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)進高階智慧型手機使用的LP DDR4。 隨今年以來DRAM價格持續(xù)走低，市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會采用將現(xiàn)有技術(shù)進行效率最大化的方式進行生產(chǎn)，而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷 韓國存儲器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。 三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
研調(diào)：DRAM價未來幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場第2季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾個季度。在需求端如筆電與智慧型手機領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機構(gòu)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。 在淡季影響下，各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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