e-flash 文章進(jìn)入e-flash技術(shù)社區(qū)

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲(chǔ)器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
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群聯(lián)3月?tīng)I(yíng)收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

近日，存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元，年成長(zhǎng)達(dá)73%，刷新歷史單月?tīng)I(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元，年成長(zhǎng)達(dá)64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率（Bit Growth Rate）也達(dá)80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購(gòu)量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫(kù)存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。eMMC方面，中國(guó)智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類(lèi)別產(chǎn)品，中國(guó)模組廠出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴(kuò)大采用模組廠方案，助益中國(guó)模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)及
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉

月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱(chēng)，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來(lái)源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來(lái)，西部數(shù)據(jù)及
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基于最新的E/E架構(gòu)，構(gòu)建安全且經(jīng)濟(jì)高效的下一代執(zhí)行器和傳感器應(yīng)用

概述近年來(lái)，汽車(chē)E/E架構(gòu)發(fā)生了巨大變化，給執(zhí)行器和傳感器應(yīng)用帶來(lái)了影響，如車(chē)燈、車(chē)窗和后視鏡等車(chē)身控制、發(fā)動(dòng)機(jī)泵和風(fēng)扇等電機(jī)控制，以及傳感器控制等應(yīng)用。傳統(tǒng)上，這些應(yīng)用使用低成本的小型16位微控制器（MCU），但現(xiàn)在則需要更先進(jìn)的16位MCU。在本白皮書(shū)中，我們將介紹可應(yīng)對(duì)E/E架構(gòu)變化的最新的16位RL78/F2x MCU。沖壽美代——高性能運(yùn)算及模擬與電源方案事業(yè)部E/E架構(gòu)變化所面臨的挑戰(zhàn)● 改用無(wú)刷直流電機(jī)電動(dòng)汽車(chē)（xEV）的加速普及正在推動(dòng)E/E架構(gòu)的變化。由于對(duì)降低噪音和功耗的需要，電
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淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后，其功能會(huì)逐漸喪失，這被稱(chēng)為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái)，電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
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10BASE-T1S標(biāo)準(zhǔn)如何支持和推動(dòng)新汽車(chē)E/E架構(gòu)的部署？

新的IEEE汽車(chē)以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)不斷涌現(xiàn)，10BASE-T1S以太網(wǎng)是最新標(biāo)準(zhǔn)之一。本文討論汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，它們反映了汽車(chē)電子/電氣(E/E)架構(gòu)的變化，以及新10BASE-T1S標(biāo)準(zhǔn)如何支持和推動(dòng)這種新架構(gòu)的部署。大趨勢(shì)提供新機(jī)遇汽車(chē)行業(yè)目前正在經(jīng)歷大變革。汽車(chē)制造商需要快速針對(duì)幾個(gè)大趨勢(shì)提供解決方案，例如個(gè)性化、電氣化、自動(dòng)化和全面互連。OEM需要徹底改變他們的E/E架構(gòu)，以支持新功能。雖然這種變革帶來(lái)了重大的技術(shù)挑戰(zhàn)，但也為OEM提供了機(jī)會(huì)，讓他們開(kāi)始考慮在E/E架構(gòu)中不再使用基于獨(dú)立域的解決方案，因
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OpenAI 宣布 DALL-E 3 圖像生成器將加入水印

2 月 7 日消息，OpenAI 宣布，其圖像生成器 DALL-E 3 將開(kāi)始為所生成的圖像添加來(lái)自?xún)?nèi)容來(lái)源和真實(shí)性聯(lián)盟 (C2PA) 的水印，以幫助用戶識(shí)別使用人工智能 (AI) 生成的內(nèi)容。該水印將出現(xiàn)在 ChatGPT 網(wǎng)站和 DALL-E 3 模型 API 生成的圖像中，移動(dòng)端用戶將于 2 月 12 日起看到水印。水印包含兩個(gè)部分：不可見(jiàn)的元數(shù)據(jù)組件和可見(jiàn)的 CR 符號(hào)，后者位于每個(gè)圖像的左上角。用戶可以通過(guò) Content Credentials Verify 等網(wǎng)站查詢(xún)由 OpenAI 平臺(tái)生
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一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%

供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮

2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì)，供應(yīng)鏈人士透露，2024 年 1 月，預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢(shì)，到第二季度，漲幅將達(dá)到 10%。過(guò)去幾年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
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NAND Flash和NOR Flash的異同

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門(mén)) &?NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程?！?兩者在寫(xiě)之前都要先
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預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買(mǎi)方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過(guò)高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴(lài)Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%

IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確，帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求，以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢(xún)認(rèn)為買(mǎi)賣(mài)雙方庫(kù)存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢(xún)認(rèn)為明年第 1 季
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