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英特爾IvyBridge-E將于2013第三季度發(fā)布
- 在IvyBridge部分,今年第四季度能看到不帶核芯顯卡的i5-3550P以及更低端一些的i5-3330現(xiàn)身,不過壽命也不長,到2013年第二季度就會被Haswell所替代。
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英特爾IvyBridge-E將于2013第三季度發(fā)布
- Intel的Tick-Tock路線已經(jīng)被大家所熟知,IvyBridge是一個Tick階段,也就是在架構(gòu)和技術(shù)改變不大的前提下將制造工藝從上一代的32nm升級到目前的22nm。而IvyBridge-E則將會是這個Tick階段的一段加強協(xié)奏曲,讓IvyBridge平臺真正的君臨天下。 事實上IvyBridge-E處理器曾經(jīng)短暫出現(xiàn)Intel的Roadmap中,但隨后卻無影無蹤,而且當(dāng)時Intel也沒有給出明確的發(fā)布時間,只是表示他是SandyBridge-E的繼任者而已。 在最新的IntelR
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中興Flash將于十月份在美發(fā)售
- 據(jù)外媒報道,中興手機將于十月份在美國發(fā)售旗艦版手機Flash,屆時將由電信運行商Sprint發(fā)行。Flash搭載1.5GHz雙核處理器,內(nèi)置1GB RAM和8GB內(nèi)存卡,支持NFC功能、藍(lán)牙4.0,有一個MicroSDXC插口槽。該款手機運行Android 4.0系統(tǒng),有一個1240萬像素的后置鏡頭和100萬像素的前置鏡頭。 ? 據(jù)報道,F(xiàn)lash將在今年10月14號正式登陸Sprint。中興通過針對美國低端市場,目前已經(jīng)在該國的智能手機市場位居第五。
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未來的Flash記憶體
- Flash記憶體加工尺寸正越來越小,容量越來越高,耗電量越來越低,但與CPU類似,到達(dá)某個尺寸后它也會迎來瓶頸,優(yōu)勢將變成劣勢。現(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD,東芝在上個月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm,可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。 加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn),那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過500 GB,而TCL(三層存儲單元)F
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基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計
- 摘要:以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu),設(shè)計了一種圖像信號發(fā)生器,作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機的信號源,為波前處理機的調(diào)試和算法驗證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù),存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
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