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          打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

          • 受訪人:亞德諾半導(dǎo)體  大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng),因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái),以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
          • 關(guān)鍵字: 202207  ADI  第三代半導(dǎo)體  IC  功率器件  

          TrendForce:預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10%

          • IT之家 7 月 15 日消息,TrendForce 集邦咨詢報(bào)告顯示,在供需失衡、庫(kù)存高漲的狀況下,預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10% 不等,且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢進(jìn)一步表示,中國(guó)面板驅(qū)動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能,更愿意配合面板廠的要求,價(jià)格降幅可達(dá)到 10%-15%。報(bào)告指出,在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下,面板驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續(xù)下跌,且有極大可能會(huì)比預(yù)估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外,TrendFor
          • 關(guān)鍵字: IC  TrendForce  市場(chǎng)  

          無(wú)毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個(gè)概念

          • 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復(fù)位(VPOR)的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復(fù)位信號(hào),而在該最低電源電壓到來(lái)之前,復(fù)位信號(hào)的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō),我們將其稱(chēng)之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),即開(kāi)漏和推挽(圖1),兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓(VPULLUP)
          • 關(guān)鍵字: ADI  IC  

          imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

          • 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結(jié)構(gòu),將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)透過(guò)這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現(xiàn)互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
          • 關(guān)鍵字: imec  晶背供電  邏輯IC  布線  3D IC  

          2021-2022年度(第五屆)中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單出爐

          • 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),是世界主要國(guó)家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭(zhēng)領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展,進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式,挖掘我國(guó)集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè),對(duì)優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值,提升企業(yè)的國(guó)際和國(guó)內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上,由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022(第五屆)中國(guó)IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月,收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
          • 關(guān)鍵字: IC 獨(dú)角獸  

          不畏亂流 半導(dǎo)體市場(chǎng)逆風(fēng)揚(yáng)

          • 隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升,加上大陸因疫情實(shí)施封控,以及俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)懸而未決,經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對(duì)今年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)將造成挑戰(zhàn),但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍會(huì)較去年成長(zhǎng)一成以上。IC Insights表示,今年全球半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額仍可年增11%,與今年初預(yù)測(cè)相同,但外在變化造成的不確定性,導(dǎo)致芯片銷(xiāo)售成長(zhǎng)幅度或有消長(zhǎng)。其中,微處理器及功率分離式組件銷(xiāo)售將高于先前預(yù)期,包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長(zhǎng)強(qiáng)勁,功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長(zhǎng)幅度增加,至于CMOS影像傳感器
          • 關(guān)鍵字: Gartner  IC Insights  半導(dǎo)體市場(chǎng)  

          2022年傳感器和致動(dòng)器成長(zhǎng)15% 離散組件將回復(fù)正常水平

          • IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出,由于COVID-19造成的隔離和短缺因素,使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器,以及離散組件 (O-S-D)的銷(xiāo)售額,均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長(zhǎng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對(duì)抗和某些系統(tǒng)因素,沒(méi)有相對(duì)應(yīng)的結(jié)果。 根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告,2021年OSD總收入首次突破1000億美元,與2020年的883億美元相比,增加18%至1042億美元,當(dāng)時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷(xiāo)售額成長(zhǎng)不到3 %。報(bào)告顯示,OSD總銷(xiāo)售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)
          • 關(guān)鍵字: ?IC Insights  傳感器  致動(dòng)器  離散組件  

          IC PARK 年度盛事圓滿收官!業(yè)界翹楚云端論劍,引爆中國(guó)“芯”思潮

          • 12月10日,第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國(guó)研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線上云會(huì)議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規(guī)劃開(kāi)局之年,本次會(huì)議在北京市委書(shū)記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下,高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,邀請(qǐng)了來(lái)自國(guó)內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂,圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流,探討當(dāng)前形勢(shì)下我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。 北京市委常委、副市長(zhǎng)殷勇,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍,創(chuàng)“芯”大賽
          • 關(guān)鍵字: IC PARK  芯動(dòng)北京  

          新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

          • 經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車(chē)、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過(guò)度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO(工程變更指令) 要點(diǎn): ?   經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析?   與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析?   與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
          • 關(guān)鍵字: 可靠性分析  IC  

          多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí):收到臺(tái)積電漲價(jià)通知

          •   原標(biāo)題:多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí):收到臺(tái)積電漲價(jià)通知 強(qiáng)調(diào)不影響合作關(guān)系  8月25日,市場(chǎng)幾度傳出臺(tái)積電即將全線漲價(jià),從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%,到全面漲價(jià)20%,并從即日起生效?! ?duì)此,據(jù)中央社報(bào)道,多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)收到臺(tái)積電漲價(jià)通知,并表示不會(huì)因而影響與臺(tái)積電的合作關(guān)系。  IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出,臺(tái)積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%,其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%。  此外,臺(tái)積電罕見(jiàn)未給客戶緩沖期,今天通知漲價(jià)隨即于今天生效,供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
          • 關(guān)鍵字: IC  臺(tái)積電  漲價(jià)  

          媒體稱(chēng)明年晶圓代工價(jià)漲定了,臺(tái)積電:不評(píng)論

          •   財(cái)聯(lián)社6月24日訊,據(jù)媒體報(bào)道,IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露,明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定,不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續(xù)漲,晶圓代工龍頭臺(tái)積電也漲價(jià),部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成,且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺(tái)積電發(fā)言窗口表示,不評(píng)論價(jià)格問(wèn)題。
          • 關(guān)鍵字: IC  晶圓廠  臺(tái)積電    

          Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

          • 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行,防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響,因?yàn)檫@類(lèi)事件會(huì)降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國(guó)防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件,包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  LET  IC  MCU  

          中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)值雙位成長(zhǎng)新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長(zhǎng)25%

          • 據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì),21Q1全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售值1,231億美元,較上季(20Q4)成長(zhǎng)3.6%,較2020年同期(20Q1)成長(zhǎng)17.8%;銷(xiāo)售量達(dá)2,748億顆,較上季成長(zhǎng)4.9%,較去年同期成長(zhǎng)22.7%;ASP為0.448美元,較上季衰退1.2%,較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場(chǎng)方面,中國(guó)大陸市場(chǎng)銷(xiāo)售值成長(zhǎng)幅度最高,較上季(20Q4)成長(zhǎng)8.9%,達(dá)到434億美元,較去年同期(20Q1)成長(zhǎng)25.6%;歐洲市場(chǎng)次之,較上季(20Q4)成長(zhǎng)8.8%,達(dá)到110億美元,較去年同期成長(zhǎng)8.7%;
          • 關(guān)鍵字: IC  

          砥礪前行,推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

          • 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,培養(yǎng)工程專(zhuān)業(yè)人才,搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái),建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制,致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然,在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103  

          基于LCC拓?fù)涞?相輸入300W AC-DC LED電源

          • 近年來(lái),諧振變換器的熱度越來(lái)越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場(chǎng)景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效,其固有的較寬的軟開(kāi)關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān),這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級(jí)和DC-DC功率級(jí)(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對(duì)DC-DC功率級(jí)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IC  
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