elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)
面向工業(yè)環(huán)境的大功率無線電力傳輸技術(shù)
- 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術(shù)在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點轉(zhuǎn)移至這項技術(shù)及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍(lán)牙（Bluetooth）等各項無線技術(shù)的推動下，通信接口日益向無線化發(fā)展，無線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術(shù)優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設(shè)計開辟更多可能性。這項技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴(yán)重污染和高機(jī)械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機(jī)械等。比如，它可以替代昂貴且易損
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
- 開篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認(rèn)是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析，對IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
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了解熱阻在系統(tǒng)層級的影響
- 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數(shù)字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導(dǎo)體接面是產(chǎn)生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導(dǎo)致嚴(yán)重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來設(shè)計保護(hù)措施，以避免發(fā)生過熱關(guān)機(jī)等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設(shè)計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強(qiáng)制冷卻接面溫度，透過傳導(dǎo)來進(jìn)行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
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碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術(shù)也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
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Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動器，有效簡化無刷直流(DC)電機(jī)驅(qū)動設(shè)計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機(jī)驅(qū)動方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設(shè)計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進(jìn)行性
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電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革
- 近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車載充電機(jī)）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標(biāo)準(zhǔn)品這三大產(chǎn)品群進(jìn)行提案。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
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功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護(hù) 202103 MOSFET
簡易直流電子負(fù)載的設(shè)計與實現(xiàn)*
- 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負(fù)載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負(fù)載測試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題，設(shè)計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負(fù)載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機(jī)主控、增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
- 關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機(jī) 恒流恒壓 IRF3205 負(fù)載調(diào)整率 202105 MOSFET
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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瑞能半導(dǎo)體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內(nèi)保持的相當(dāng)規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強(qiáng)調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來
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基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限
- 相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產(chǎn)品設(shè)計的問題，還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
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變頻電源開關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究
- 隨著科技的發(fā)展，電器設(shè)備使用越來越廣泛，功能越來越強(qiáng)大，體積也越來越小，對電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點，在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析，開關(guān)電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導(dǎo)致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產(chǎn)品各項性能有效提高，滿足電路設(shè)計需求，減少售后失效。
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