前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產品及家電產品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經成為一個越來越迫切的問題。
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MOSFET 節(jié)能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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Diodes MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動器在高邊和橋驅動器應用中驅動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統和擴大工作范圍。這些產品
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Fairchild 柵極驅動器 MOSFET IGBT
盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國電源管理半導體市場在經歷了多年的快速增長之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國家政策刺激拉動整機設備制造保持增長，今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長，預計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
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電源管理 節(jié)能 IGBT MOSFET 數字電源 穩(wěn)壓器 200903
許多電子設計應用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數任意波形/函數發(fā)生器的能力，包括電源半導體應用，如汽車電子系統和開關電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質譜檢測器使用的放大器，以及科學和工業(yè)應用中使用的其它設備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統方法，然后討論了典型應用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
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泰克 MOSFET IGBT 200903
電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調速電路實現，具有起動靈敏并可正反調速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調速電路一
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系統 可靠性 電動工具 提高 MOSFET 選擇
產品特性：
耐壓650V
STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
采用了改進Super Junction結構
應用范圍：
太陽能電池功率調節(jié)器
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意法 MOSFET IGBT
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MDmeshV MOSFET RDS
自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設計是DSP應用系統設計的一...
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DSP CPU 電源芯片 MOSFET
??????? NCP370保護便攜設備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護便攜設備附件，不需使用外部元件。
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??????? 2009年2月3日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機、MP3/4、個人數字助理(PDA)和GPS系統提
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安森美 OVP OCP MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
現有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
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MOSFET
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS
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Diodes MOSFET ZXMS6004FF
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。
關鍵字：
MOSFET 漏極 導通 開關過程
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實――硅技術的創(chuàng)新已經與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
關鍵字：
MOSFET 表面貼裝 封裝
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