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學(xué)會(huì)這4招，輕松搞定開(kāi)關(guān)電源EMI

開(kāi)關(guān)電源作為當(dāng)下電控系統(tǒng)中的基礎(chǔ)、主流的裝置，被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、電子設(shè)備等諸多應(yīng)用，且由于其不存在替代設(shè)備，因此市場(chǎng)規(guī)模十分龐大。隨著“低碳時(shí)代”的到來(lái)，電子設(shè)備日趨小型化、輕薄化、節(jié)能化，開(kāi)關(guān)電源的市場(chǎng)規(guī)模也迎來(lái)了進(jìn)一步的增長(zhǎng)。全球電源市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)根據(jù)Markets and Research發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球電源市場(chǎng)規(guī)模將從2018年的225億美元增長(zhǎng)到2023年的349.2億美元，2018-2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.7%。圖1（圖源：中商產(chǎn)業(yè)研究院）影響開(kāi)關(guān)電源的因素眾所周知，開(kāi)關(guān)電源是
關(guān)鍵字：貿(mào)澤電子開(kāi)關(guān)電源 EMI

反激開(kāi)關(guān)電源EMI整改經(jīng)驗(yàn)分享！

　　PD18W,EMC的整改歷程，希望能給朋友們有所幫助?！　MI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書(shū)籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書(shū)籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下yao，在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法，把自己的經(jīng)驗(yàn)分享給大家。　　根據(jù)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生共模、差模干擾的特點(diǎn)，將整個(gè)頻率范圍劃分為3個(gè)部分：　　即0.15-0.5MHz差
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液晶電視機(jī)EMI的設(shè)計(jì)

本文介紹一種應(yīng)用在液晶電視機(jī)中的預(yù)防EMI的設(shè)計(jì)方法，通過(guò)實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)表明，該方法實(shí)用性強(qiáng)、易于實(shí)現(xiàn)，文中分析了該設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)方法，以及在實(shí)際電路中的具體應(yīng)用。
關(guān)鍵字：經(jīng)濟(jì) 高效 EMI 202202

微機(jī)電系統(tǒng)EMC達(dá)到99%改進(jìn)幅度

本文闡述針對(duì)現(xiàn)今高度整合CbM解決方案因應(yīng)EMC標(biāo)準(zhǔn)兼容性進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)所面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。EMC的設(shè)計(jì)頗有難度，即使是電路或?qū)嶒?yàn)室測(cè)試設(shè)定進(jìn)行微幅變更都會(huì)大幅影響測(cè)試結(jié)果。本文說(shuō)明一種系統(tǒng)層級(jí)EMC仿真方法或虛擬實(shí)驗(yàn)室，可協(xié)助工程師縮短時(shí)間內(nèi)完成EMC兼容的設(shè)計(jì)工作。微機(jī)電系統(tǒng)廣泛用于鐵路、風(fēng)力發(fā)電機(jī)、馬達(dá)控制、工具機(jī)等環(huán)境中，目的是用于監(jiān)測(cè)振動(dòng)，藉以提升安全性、降低成本、以及盡力提高設(shè)備的使用壽命。MEMS傳感器的低頻效能，能比其他技術(shù)更早偵測(cè)出鐵路與風(fēng)力發(fā)電機(jī)應(yīng)用的軸承損壞。大幅節(jié)省成本加上對(duì)各種設(shè)備瑕疵
關(guān)鍵字： MEMS 微機(jī)電系統(tǒng) EMC ADI

超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及EMI設(shè)計(jì)

分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開(kāi)關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)波形及開(kāi)關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計(jì)了優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的EMI測(cè)試結(jié)果。
關(guān)鍵字： 202106 超結(jié) 驅(qū)動(dòng) EMI 非線性 MOSFET

TI首款具有集成式有源EMI濾波器的先進(jìn)直流/直流控制器發(fā)布支持工程師實(shí)現(xiàn)更小的低EMI電源設(shè)計(jì)

德州儀器(TI)近日推出了全新的同步直流/直流降壓控制器系列，此類(lèi)器件支持工程師縮減電源解決方案的尺寸并降低其電磁干擾(EMI)。LM25149-Q1和LM25149采用集成式有源EMI濾波器(AEF)和雙隨機(jī)展頻(DRSS)技術(shù)，使工程師能夠?qū)⑼獠縀MI濾波器的面積減半，在多個(gè)頻帶上將電源設(shè)計(jì)的傳導(dǎo)EMI降低多達(dá)55 dBμV，或者同時(shí)縮減濾波器尺寸和降低EMI。降低電源中的EMI是一項(xiàng)日益嚴(yán)峻的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，尤其是隨著高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)與儀表組、樓宇自動(dòng)化以及航空航天和國(guó)防設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： ADAS EMI

更少功耗，完成更多任務(wù)

當(dāng)我們推進(jìn)功率密度創(chuàng)新以幫助工程師將更多電源封裝到更小空間時(shí)，企業(yè)和消費(fèi)者將從更高效、更持久的電子器件和更可靠的數(shù)字聯(lián)接中受益。人們期望電子器件能夠在任何時(shí)間、任何有需要的地方工作。這些器件不分晝夜地通電運(yùn)作——開(kāi)啟線上會(huì)議、播放人們喜歡的電視節(jié)目并使人們相互連接。德州儀器副總裁暨升壓與多通道/多相位DC-DC產(chǎn)品線總經(jīng)理Cecelia Smith稱：“我們當(dāng)前的環(huán)境與通過(guò)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的彼此之間的可訪問(wèn)性息息相關(guān)。想象一下你每天多么依賴筆記本電腦和智能手機(jī)，以及通過(guò)云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)的視頻會(huì)議應(yīng)用。這些都需要更高
關(guān)鍵字： EMI

電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無(wú)止境

5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)電源管理的前沿趨勢(shì)我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小。可在高頻率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

具有卓越寬帶衰減性能的超緊湊型單相EMC濾波器

SCHURTER最近推出了具有卓越衰減性能的新一代超緊湊型濾波器——FMBB EP系列，此舉標(biāo)志著SCHURTER目前已具備完整的單相電磁兼容濾波器組合。新雙級(jí)濾波器系列比一般的濾波器具備更為強(qiáng)大的功能，可以滿足當(dāng)今最先進(jìn)電子設(shè)備在空間限制和性能方面的要求。???????FMBB EP系列的重要設(shè)計(jì)特征是使用了頂級(jí)元器件，其中包括大小合適的薄膜電容器、采用高滲透性磁芯的扼流圈，以及在底部點(diǎn)焊的全封閉鋼制底座。該系列具備出色的低頻共模衰減
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為工業(yè)4.0啟用可靠的基于狀態(tài)的有線監(jiān)控 — 第2部分

?簡(jiǎn)介在“為工業(yè)4.0啟用可靠的基于狀態(tài)的有線監(jiān)控——第1部分”一文中，我們介紹了ADI公司的有線接口解決方案，該方案幫助客戶縮短設(shè)計(jì)周期和測(cè)試時(shí)間，讓工業(yè)CbM解決方案更快地進(jìn)入市場(chǎng)。本文探討了多個(gè)方面，包括選擇合適的MEMS加速度計(jì)和物理層，以及EMC性能和電源設(shè)計(jì)。此外，還包括第一部分介紹的三種設(shè)計(jì)解決方案和性能權(quán)衡。本文為第二部分，著重介紹第一部分展示的SPI至RS-485/RS-422設(shè)計(jì)解決方案的物理層設(shè)計(jì)考量。為MEMS實(shí)現(xiàn)有線物理層接口的常見(jiàn)挑戰(zhàn)包括管理EMC可靠性和數(shù)據(jù)完整性。
關(guān)鍵字： MEMS EMC 工業(yè)4.0

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿載工作時(shí)，PWM開(kāi)關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開(kāi)關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
關(guān)鍵字： EMI PWM MOS

意法半導(dǎo)體推出150W評(píng)估板和參考設(shè)計(jì)，致力于推動(dòng)安全高效的LED路燈應(yīng)用的發(fā)展

意法半導(dǎo)體新推出的?EVL150W-HVSL? LED驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板和參考設(shè)計(jì)將確保LED燈具擁有優(yōu)異的性能，節(jié)省物料清單(BOM)成本，加快LED路燈和其它中高功率照明應(yīng)用的研發(fā)。作為一款150W、1A市電輸入驅(qū)動(dòng)器，EVL150W-HVSL可實(shí)現(xiàn)高達(dá)91％的滿載能效，能夠最大程度地節(jié)省路燈運(yùn)營(yíng)企業(yè)的用電成本。電磁干擾(EMI)在EN55022電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定范圍內(nèi)，在230V AC、30%至100％負(fù)載范圍內(nèi)，輸入電流總諧波失真(THD) 小于10％，符合歐洲EN61000-3-2
關(guān)鍵字： THD LCC BOM EMI PFC

簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開(kāi)通能耗

　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開(kāi)關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開(kāi)關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過(guò)選擇有效的功率晶體管柵極電阻來(lái)解決這一問(wèn)題。但這在運(yùn)行中是無(wú)法自主進(jìn)行調(diào)整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過(guò)并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開(kāi)通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評(píng)估?！　￡P(guān)鍵詞：馬達(dá)；開(kāi)關(guān)損耗；EMI；開(kāi)關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動(dòng)　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過(guò)選擇電阻值較小的
關(guān)鍵字： 202006 馬達(dá) 開(kāi)關(guān)損耗 EMI 開(kāi)關(guān)電壓斜率柵極驅(qū)動(dòng)

SCM1502A 繼電器節(jié)電控制芯片

特點(diǎn)：●? ?實(shí)時(shí)檢測(cè)輸入電壓，可精確設(shè)置繼電器動(dòng)作電壓●? ?可在 2.5:1 的寬輸入電壓范圍工作●? ?吸合電流與吸持電流可分別設(shè)置，繼電器線圈設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單●? ?自帶模擬抖頻，輕松解決 EMI 問(wèn)題●? ?工作電壓范圍 7~40V，滿足絕大部分繼電器應(yīng)用要求●? ?具有快速關(guān)斷功能，減少繼電器關(guān)斷延時(shí)●? ?從輸入取電，節(jié)省輔助電源封裝：應(yīng)用范圍：●?
關(guān)鍵字： GND EMI 繼電器控制器