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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	epc gan fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          硅上GaN LED分析
          
                                                            
            
                    	
          • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  分析                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          20W-50W單端FET純甲類(lèi)功放的設(shè)計(jì)制作
          
                                                            
            
                    	
          • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類(lèi)功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        單端  FET  甲類(lèi)  功放                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        隔離式  FET  脈沖驅(qū)動(dòng)器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          保護(hù)汽車(chē)?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        RTP器件  FET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          利用氬氣改善p型GaN LED的性能
          
                                                            
            
                    	
          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED                            
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          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀
          
                                                            
            
                    	
          • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          EPC高頻變壓器分布參數(shù)及其影響的分析
          
                                                            
            
                    	
          • 1、引言　　行波管放大器（TWTA）具有寬頻帶、高增益、高效率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于微波通信、雷達(dá)和電子對(duì)抗等技術(shù)領(lǐng)域中?！　WTA由空間行波管（TWT）和電子功率調(diào)節(jié)器（EPC）組成。EPC[1,2]是由大量電子元器件和高
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        及其  影響  分析  參數(shù)  分布  高頻  變壓器  EPC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)
          
                                                            
            
                    	
          • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        LED  GaN  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)
          
                                                            
            
                    	
          • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT                          
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          Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 簡(jiǎn)介

　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。


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          • 關(guān)鍵字：
                        intersil  FET  DC/DC                          
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          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析
          
                                                            
            
                    	
          • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
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          • 關(guān)鍵字：
                        LED芯片  硅襯底  GaN                            
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	共472條
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          epc gan fet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條epc gan fet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門(mén)主題
          
      			
          
      			
          
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