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TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)
- 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件
- 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西,或用來(lái)逆變;或用來(lái)整流;或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W,附加效率超過(guò)67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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MOS-FET開(kāi)關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理
- 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號(hào)至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路
- 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器,這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量,事先了
- 關(guān)鍵字: FET 輸入 OP放大器 模擬定時(shí)電路
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