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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度。基于保障風(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
關(guān)鍵字：故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間

讓汽車看懂紅綠燈奧迪新技術(shù)展示

如果說(shuō)無(wú)人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對(duì)駕駛員來(lái)說(shuō)已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報(bào)道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
關(guān)鍵字：奧迪 V-to-V V-to-I

汽車用晶體振蕩子X(jué)RCGB-F-A系列

1. 前言汽車電子控制即被稱之為ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的先進(jìn)駕駛支持系統(tǒng)近年來(lái)被逐漸放大了。ADAS使用了攝像頭和毫米波、紅外激光等，通過(guò)車輛周邊的感測(cè)來(lái)識(shí)別步行者或者其他車輛和路沿等并發(fā)出接近警報(bào)，通過(guò)制
關(guān)鍵字：汽車 XRCGB-F-A系列 ADAS 傳感器

基于FPGA的高精度頻率電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

摘要設(shè)計(jì)了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號(hào)經(jīng)信號(hào)調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA，F(xiàn)PGA測(cè)量脈沖信號(hào)的頻率，根據(jù)系統(tǒng)精度要求，需設(shè)計(jì)Q格式定點(diǎn)運(yùn)算，測(cè)得的頻率經(jīng)FPGA定點(diǎn)運(yùn)算后得到與頻率大小成線性關(guān)系
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基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測(cè)量系統(tǒng)

摘要：針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜，準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題，提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開(kāi)關(guān)陣列，使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別
關(guān)鍵字： T-F 變換多點(diǎn) 流體

利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用

　　鐵電RAM(F-RAM)存儲(chǔ)器被用在一系列廣泛的應(yīng)用中，其中包括工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用和汽車系統(tǒng)等。未來(lái)幾年，汽車的安全系統(tǒng)將會(huì)變得更加復(fù)雜。推動(dòng)該趨勢(shì)的一個(gè)主要?jiǎng)恿κ穷A(yù)期的監(jiān)管措施，它們將對(duì)汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統(tǒng)中使用F-RAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　“安全氣囊系統(tǒng)”正在發(fā)生兩大變化。首先，所有新型安全氣囊都配有一個(gè)智能傳感器，用于檢測(cè)車內(nèi)是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會(huì)導(dǎo)致極高的更換成本
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Ramtron推出飛思卡爾Tower System一起使用的F-RAM

通過(guò)在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲(chǔ)器快速構(gòu)建原型，新增模塊化平臺(tái)可加快開(kāi)發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM存儲(chǔ)器模塊

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤(pán)

三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)

串并口F-RAMW系列存儲(chǔ)器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C
關(guān)鍵字： F-RAM 存儲(chǔ)器 Ramtron FM24W256

三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼：CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)，可在斷電時(shí)為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)之外，還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.cypress.com/nonvolatile。　　賽普
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

　　比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過(guò)將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過(guò)使用通道中的III-V材
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電源控制芯片廠F-矽力展開(kāi)并購(gòu)

　　電源控制芯片廠F-矽力去年?duì)I收直逼47億元，再創(chuàng)歷史新高，加上去年底已向美商Maxim Integrated(美信)購(gòu)買智慧電表與能源監(jiān)控業(yè)務(wù)部門(mén)，預(yù)期對(duì)第2季業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)顯著，營(yíng)運(yùn)可望再上層樓，今年開(kāi)春以來(lái)股價(jià)上漲逾14%，上周五(8 日)漲7.5元，收388元，受全球股災(zāi)影響不大。　　F-矽力是一家陸資企業(yè)，產(chǎn)品以電源控制芯片為主，終端應(yīng)用包括LED照明、消費(fèi)性電子及網(wǎng)路通訊產(chǎn)品等，公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理陳偉為中國(guó)大陸海歸派精英之一，他的第一份工作是在美國(guó)太空總署(NASA)從事研發(fā)，后來(lái)轉(zhuǎn)到美國(guó)民
關(guān)鍵字： F-矽力美信