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首屆5G算法創(chuàng)新大賽：F-OFDM賽事評述
- 萬物互聯(lián)的5G定位，如圖1所示的5G總體愿景，帶來了一系列需要解決的重大技術難題。比如，如何支持擁有大量連接數(shù)的物聯(lián)網(wǎng)應用，如何支持對時延和可靠性要求極高的車聯(lián)網(wǎng)業(yè)務，如何支持內(nèi)容越來越多樣速率越來越高的智能手機業(yè)務。為了全面實現(xiàn)5G預期的各項指標和功能，5G關鍵技術的研究正如火如荼的開展著。 圖表 1：5G總體愿景(IMT2020) 就在這時，由Altera、西安電子科技大學、友晶科技主辦，華為、英特爾、展訊通信贊助的第一屆5G算法創(chuàng)新大賽應運而生了。我有幸作為三大算法的評委之一參與
- 關鍵字： 5G f-OFDM
電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）
- 1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
- 關鍵字： V/I V/F
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關鍵字： 三星 V-NAND
2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據(jù)韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構，增加到48層。 外電引用市調(diào)機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術分類，V-N
- 關鍵字： 三星 V-NAND
三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
- 全球先進半導體技術領軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場競爭力，進一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務的發(fā)展?！? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術的最新產(chǎn)品，每
- 關鍵字： 三星 V-NAND閃存
AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性
- 可編程電源是電氣實驗室工程師及技術人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個開啟/關閉開關及兩個用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會是首選方法，因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 對低成本應用中的大多數(shù)電源而言保護功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應用中，會要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會很容易損壞設備，這就為使用者提出了新的要求。 AMET
- 關鍵字： 可編程電源 AMETEK V-span
賽普拉斯為其領先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線增添新的封裝方式和溫度范圍選項
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布，其鐵電隨機存取存儲器(F-RAM™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴展為-40?C 至 +105?C。 新封裝方式可在替代標準的電池供電的SRAM時實現(xiàn)管腳兼容，應用于工業(yè)自動化、計算、網(wǎng)絡和汽車電子應用中的關鍵任務系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲，無需電池即可實現(xiàn)長達百年的保存時間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復雜性。2 Mb SP
- 關鍵字： 賽普拉斯 F-RAM SRAM
基于FPGA的高帶寬存儲接口設計
- 摘要：文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口，并在此基礎上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設計預期相符，性能優(yōu)良，適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應用。 如今，越來越多的應用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導致了FPGA和外部Memory接口的實際有效帶寬
- 關鍵字： FPGA Altera Cyclone V
Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機控制市場
- 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級產(chǎn)品，此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場為數(shù)字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
- 關鍵字： 貿(mào)澤電子 Freescale Kinetis V
基于FPGA的高精度頻率線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設計
- 摘要 設計了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號經(jīng)信號調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA，F(xiàn)PGA測量脈沖信號的頻率，根據(jù)系統(tǒng)精度要求，需設計Q格式定點運算，測得的頻率經(jīng)FPGA定點運算后得到與頻率大小成線性關系的D/A轉(zhuǎn)換的數(shù)字量，控制串行DAC7551輸出相應的電壓值。實驗結(jié)果表明，系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換精度優(yōu)于0.1%，改變系統(tǒng)的設計參數(shù)可實現(xiàn)更高精度的頻率信號到電壓信號的轉(zhuǎn)換。 關鍵詞 F/V轉(zhuǎn)換;精度;FPGA;Q8定點運算;DAC7551 脈沖型流量傳感器是流量儀表中一類主要的流量傳感
- 關鍵字： F/V轉(zhuǎn)換 FPGA Q8定點運算 DAC7551
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