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          兩線(xiàn)制V/I變換器設(shè)計(jì)

          • V/I 變換器是一種可以用電壓信號(hào)控制輸出電流的電路。兩線(xiàn)制V/I變換器與一般V/I變換電路不同點(diǎn)在:電壓信號(hào)不是直接控制輸出電流,而是控制整個(gè)電路自身耗電電流。同時(shí),還要從電流環(huán)路上提取穩(wěn)定的電壓為調(diào)理電路和
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  變換器  V/I  

          納米器件電流-電壓(I-V)特性測(cè)試

          • 對(duì)于納米電子和半導(dǎo)體材料與薄膜,采用靈敏的電氣測(cè)量工具是十分必要的。它們提供的數(shù)據(jù)能夠幫助我們完全掌握新材料的電氣特性和新器件與元件的電氣性能。納米測(cè)量?jī)x器的靈敏度必須要高得多,因?yàn)樾枰獪y(cè)量的電流和電
          • 關(guān)鍵字: I-V  納米器件  電流  電壓    

          利用單片機(jī)控制的數(shù)字氣壓計(jì)開(kāi)發(fā)與實(shí)現(xiàn)

          微機(jī)械陀螺的閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 以北京微電子技術(shù)研究所自主研發(fā)的803微機(jī)械陀螺為研究對(duì)象,對(duì)陀螺的閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了分析和設(shè)計(jì)。閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)方式主要有自激和鎖相環(huán)驅(qū)動(dòng)兩種方式,對(duì)關(guān)鍵的C-V轉(zhuǎn)換電路和AGC電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。為以后微機(jī)械陀螺的驅(qū)動(dòng)電路的研究設(shè)計(jì)提供依據(jù)。
          • 關(guān)鍵字: 微機(jī)械陀螺  閉環(huán)  驅(qū)動(dòng)電路  C-V  AGC  201104  

          Altera發(fā)布28nm器件系列產(chǎn)品

          •   為滿(mǎn)足用戶(hù)的多種設(shè)計(jì)需求,Altera公司 今天發(fā)布其28-nm器件系列產(chǎn)品,為業(yè)界提供最全面的器件選擇。Altera在Cyclone V和Arria V FPGA新系列、最新擴(kuò)展的Stratix V FPGA以及此前發(fā)布的HardCopy V ASIC系列中為用戶(hù)提供突出不同產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)的解決方案。   
          • 關(guān)鍵字: Altera  Stratix V FPGA  

          Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器套件

          •   世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計(jì)商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評(píng)測(cè)第三代數(shù)據(jù)豐富自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器評(píng)測(cè)套件在德國(guó)慕尼黑electronica 2010展會(huì)上首次展出。   
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  RFID  

          為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

          • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM),  自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后,電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn):由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 (pre-paid) 復(fù)費(fèi)率電能
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  F-RAM  使用  需要  電子  電能表  為何  

          一種可實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)的V/I電路的設(shè)計(jì)方法

          •  0 引言  本文通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)負(fù)載,設(shè)計(jì)了一種具有快速響應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)電流電路,同時(shí)采用PSPICE里的實(shí)際模型對(duì)電路進(jìn)行了仿真,仿真響應(yīng)時(shí)間為百ns。故該電路的設(shè)計(jì)對(duì)高速網(wǎng)絡(luò)中有一定的參考價(jià)值。  1 電壓轉(zhuǎn)電流的
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  方法  電路  V/I  快速  響應(yīng)  實(shí)現(xiàn)  

          由單片IC構(gòu)成的廉價(jià)100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

          • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器,往往選用混合集成組件,而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器,這是一種廉價(jià)的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)電路,它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸,可以把模擬信號(hào)
          • 關(guān)鍵字: V-F  轉(zhuǎn)換器  100KHZ  廉價(jià)  IC  構(gòu)成  單片  

          通過(guò)28-nm FPGA 解決100-GbE 線(xiàn)路卡設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

          • 各種標(biāo)準(zhǔn)組織逐步完成了傳送網(wǎng)、以太網(wǎng)和光接口的100G 標(biāo)準(zhǔn), FPGA 在100G 產(chǎn)品系統(tǒng)設(shè)計(jì)早期技術(shù)應(yīng)用中扮演了關(guān)鍵角色。由于帶寬需求越來(lái)越大,服務(wù)提供商為他們的下一代線(xiàn)路卡選擇了最新的40-GbE/100-GbE標(biāo)準(zhǔn)。Altera Stratix V FPGA在28-nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供具有增強(qiáng)100G PCS 功能的集成12.5-Gbps收發(fā)器,從而解決了帶寬問(wèn)題。 詳情參見(jiàn) http://share.eepw.com.cn/share/download/id/51953
          • 關(guān)鍵字: Stratix V FPGA  100G PCS  線(xiàn)路卡   

          Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

          • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸,同時(shí)降低了系統(tǒng)功耗和成本 2010年4月20號(hào),北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力,采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-nm工藝,降低了寬帶應(yīng)用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進(jìn)行制造,提供1
          • 關(guān)鍵字: Altera  28-nm  Stratix V FPGA  

          零交通事故成為可能 介紹幾種最新汽車(chē)安全技術(shù)

          F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)之比較

          •   引言   高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展,同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。   若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù),工程師有(但不限于)以下選擇:電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠(chǎng)自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中,要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇,是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  BBSRAM  

          Ramtron發(fā)布具射頻功能之無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器MaxArias

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布,現(xiàn)正向數(shù)個(gè)行業(yè)的客戶(hù)提供首款MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的beta測(cè)試樣品。Ramtron的MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品將無(wú)線(xiàn)存取功能與其非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合,能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中,實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。   Ramtron首個(gè)無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器系列稱(chēng)作MaxArias WM71
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  MaxArias  無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器  

          Ramtron推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA,進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲(chǔ)器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲(chǔ)器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車(chē)溫度范圍工作,是Ramtron不斷增長(zhǎng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的新成員。
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  存儲(chǔ)器  FM25L16-GA  
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