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X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
- 關鍵字： X-Fab 180納米 高壓CMOS代工
聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設備到廠
- 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設備到廠，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
- 關鍵字： 聯(lián)電 Fab 設備
格科微發(fā)布系列5000萬像素圖像傳感器
- 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見中國的創(chuàng)新為使命，格科微經(jīng)過二十年的發(fā)展，成功實現(xiàn)了從Fabless到Fab-Lite的戰(zhàn)略轉型，迎來了歷史最佳的經(jīng)營局面。值此良機，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來加速核心技術產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎。整個活動，政府領
- 關鍵字： Fab-Lite 格科微 5000萬像素 圖像傳感器
總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線新進展
- 據(jù)臨港新片區(qū)管委會官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目城鎮(zhèn)污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據(jù)悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會合作規(guī)劃建設。根據(jù)協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規(guī)劃建設產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節(jié)點的集成電路晶圓代工與技術服務。據(jù)中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
- 關鍵字： 中芯國際 12英寸晶圓 代工廠 Twin Fab
X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
- 關鍵字： X-FAB 近紅外 SPAD
X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現(xiàn)又在此平臺上實現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統(tǒng)、工廠自動化和工業(yè)電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
- 關鍵字： X-FAB 電隔離解決方案
X-FAB領導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化
- 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構在光電子領域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推
- 關鍵字： X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
- 關鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進
- 近期，一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
- 關鍵字： 碳化硅 瑞薩 X-FAB
X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高
- 關鍵字： X-FAB 萊布尼茨IHP
是誰在拉動嵌入式存儲的技術革新和市場擴張？
- 近年來，受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構的分析師都預測了半導體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個2022年，甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析，2022年全球存儲器件市場的規(guī)模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
- 關鍵字： 嵌入式存儲 X-FAB NVM
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