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fab-lite 文章 進(jìn)入fab-lite技術(shù)社區(qū)
Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線對(duì)板連接器系統(tǒng)
- Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術(shù)) 線對(duì)板連接器系統(tǒng),具有小巧的外觀尺寸,滿足纖薄型 LED 照明模塊的應(yīng)用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm,與可拆卸電線式的連接器相比,是當(dāng)今市場(chǎng)上外形最小巧的連接器之一并可實(shí)現(xiàn)最低的電線插入力。 Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 J.B. Jin 評(píng)論說(shuō):“Molex 致力于創(chuàng)新,通過(guò)設(shè)計(jì)出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng),良好滿足 LED 照明制造商的要求,從而實(shí)現(xiàn)更薄的設(shè)計(jì),并減輕陰影或與光
- 關(guān)鍵字: Molex Lite-Trap 連接器
全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)
- 全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出,2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
- 關(guān)鍵字: Fab 電子制造
全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng)
- 全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計(jì)在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì)有24%的增長(zhǎng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報(bào)》。該預(yù)報(bào)還指出,2013年全球fab廠設(shè)備支出增長(zhǎng)點(diǎn)在于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠建方面的支出會(huì)增加6.7%且主要集中在中國(guó)。該預(yù)報(bào)參考了2013年超過(guò)180家機(jī)構(gòu)的設(shè)備支出。
- 關(guān)鍵字: Fab 設(shè)備
X-FAB持續(xù)擴(kuò)張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)
- X-FAB Silicon Foundries 宣布,已經(jīng)增加在總部位于德國(guó)的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股,從25.5%提高到51%,成為后者的最大股東,并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。 上述動(dòng)向反映了X-FAB對(duì)MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補(bǔ)強(qiáng)了X-FAB 微機(jī)電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源,增添微感測(cè)器、致動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與
- 關(guān)鍵字: X-FAB 微感測(cè)器 MEMS
X-FAB收購(gòu)MFI大部分股份
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國(guó)MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。 此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠補(bǔ)充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產(chǎn)能力及資源,添加了微感應(yīng)器、制動(dòng)器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與密封晶片級(jí)封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。 X-FAB MEMS Found
- 關(guān)鍵字: X-FAB 微感應(yīng)器 MEMS
Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世
- 瑞典斯德哥爾摩,2012年10月11日–為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)者而設(shè)計(jì),對(duì)該領(lǐng)域而言,容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而,對(duì)許多用戶而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng),用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 相較于Polyhedra 的32位模式完整版,
- 關(guān)鍵字: Enea 內(nèi)存 Polyhedra Lite
Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)免費(fèi)軟件現(xiàn)已面世
- 為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)Polyhedra的免費(fèi)版本Polyhedra Lite。 Polyhedra產(chǎn)品特別針對(duì)嵌入系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)者而設(shè)計(jì),對(duì)該領(lǐng)域而言,容錯(cuò)系統(tǒng)等功能非常重要。然而,對(duì)許多用戶而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng),用于個(gè)人或公司內(nèi)部用途。 相較于Polyhedra 的32位模式完整版,Polyhedra Lite是一
- 關(guān)鍵字: Enea Polyhedra Lite
XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù),32層,其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存,而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs),此方案具有極高的性價(jià)比,其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存,EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash),更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
- 關(guān)鍵字: X-FAB 嵌入式閃存
蘋(píng)果應(yīng)該自己建個(gè)fab
- 蘋(píng)果應(yīng)該考慮自己建個(gè)fab,不是在開(kāi)玩笑,而是算一個(gè)建議。甚至可以打個(gè)賭Steve Jobs一定考慮過(guò)這件事。 蘋(píng)果應(yīng)該考慮建自己的fab,生產(chǎn)iPad及iPhone用的A4處理器,由此自己的處理器性能可以不斷的提高。 顯然,建fab要化很多錢(qián),這么多年蘋(píng)果把自己看作是一家傳統(tǒng)的OEM,買進(jìn)元件,把它們組裝成產(chǎn)品或者系統(tǒng),而讓它的芯片供應(yīng)商來(lái)承擔(dān)fab的風(fēng)險(xiǎn),但是為什么蘋(píng)果不能改變一下思路呢? 因?yàn)樘O(píng)果與傳統(tǒng)的OEM不同,它的產(chǎn)品有iPod、iPhone、iPad等,而且預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)有
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 處理器 fab
X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
- 關(guān)鍵字: X-FAB 晶圓代工
X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天宣布其將擴(kuò)大自身的晶圓廠服務(wù),囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴(kuò)展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位,并能使為汽車與消費(fèi)電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)應(yīng)用設(shè)備的客戶受益。公司早已開(kāi)展與主要客戶合作,結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù),開(kāi)發(fā)200毫米晶片的MEMS設(shè)
- 關(guān)鍵字: X-FAB MEMS 晶圓
fab-lite介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條fab-lite!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)fab-lite的理解,并與今后在此搜索fab-lite的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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