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          電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

          • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加,對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序,最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān),用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會(huì)接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對(duì)于離線電源來說,反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案,因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
          • 關(guān)鍵字: BOM  FET  VDD  

          Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

          • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng),包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

          對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

          • 電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ8鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(FET),因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場(chǎng)增長(zhǎng)了3到6倍(見圖1)。圖1:從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如,若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
          • 關(guān)鍵字: FET  BLDC  

          看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

          •   每年十二月,在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇,在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
          • 關(guān)鍵字: DRAM  GAA-FET  

          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素,如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過長(zhǎng),并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)。  BLDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率、緊湊的尺寸、更長(zhǎng)的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能。  圖1:智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行;從輸出到輸入。幸運(yùn)的是,有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車、無線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動(dòng)汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動(dòng)器  

          FET知識(shí):采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)分流信號(hào)到地面。這個(gè)R2是用來控制輸出級(jí)(衰減等級(jí)),但是你可以用其他來源的電壓信號(hào)來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號(hào)電壓會(huì)(你可以用DAC采用對(duì)稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

          單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求,這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  FET  穿通電流  工作頻率  

          學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

          •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的可靠性測(cè)試報(bào)告記錄了超過170億小時(shí)測(cè)試器件的可靠性的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù),結(jié)果表明器件的失效率很低

          •   EPC公司的第七階段可靠性報(bào)告表明eGaN?FET非??煽?,為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?! ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測(cè)試報(bào)告,展示出在累計(jì)超過170億器件-小時(shí)的測(cè)試后的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的分布結(jié)果,以及提供在累計(jì)超過700萬器件-小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測(cè)試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測(cè)試。報(bào)告提供受測(cè)產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得
          • 關(guān)鍵字: 宜普電源  FET  

          TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高電壓電池

          •   近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動(dòng)能量存儲(chǔ)系統(tǒng),以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET,包括無人機(jī)、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車等等。如需了解更多詳情,敬請(qǐng)?jiān)L問:http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   電感性
          • 關(guān)鍵字: TI  FET  
          共104條 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »

          fet介紹

          fet  FET:場(chǎng)效應(yīng)管   根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件   --------------------------------------------------------------   1.概念:   場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transisto [ 查看詳細(xì) ]

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