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          詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計注意點

          •   無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動,連接每一個驅(qū)動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開和關(guān)的簡單功能,絕大多數(shù)都需要從0~100%去微調(diào)亮度。目前,針對亮度控制方面,主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下,讓驅(qū)動電流從0到目標(biāo)電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法,原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。   PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
          • 關(guān)鍵字: PWM  FET  

          基于場效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計

          • 摘要:用場效應(yīng)晶體管設(shè)計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類,后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看,末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運算放大器構(gòu)成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級采用單管甲類放大器,后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
          • 關(guān)鍵字: FET  場效應(yīng)管  功率放大器  

          用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計的幾種方法

          • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機,當(dāng)腳從剎車踏板移動
          • 關(guān)鍵字: P-FET  MOSFET  

          新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計問題

          • 新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進了對更高功率電源的要求,以及由于需要快速實現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計人員縮短開發(fā)周期,從而對全功能、快速實現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題,并提供系統(tǒng)設(shè)計人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
          • 關(guān)鍵字: 新電源  FET  ISL8225  

          Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

          •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
          • 關(guān)鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  

          研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙

          •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計。   由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應(yīng),大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
          • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

          汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案

          • 為了限制油耗,一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時,這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動機;而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時,就自動重新啟動發(fā)動機。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

          如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進行緩沖

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

          經(jīng)典FET輸入甲類前級

          • 經(jīng)典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
          • 關(guān)鍵字: FET  甲類前級  

          eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

          • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng),為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電,這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
          • 關(guān)鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉(zhuǎn)換器  

          正確的同步降壓FET時序設(shè)計

          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階...
          • 關(guān)鍵字: 同步降壓  FET  時序設(shè)計  

          電源設(shè)計小貼士46:正確地同步降壓FET時序

          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階段:低...
          • 關(guān)鍵字: FET    MOSFET    電源設(shè)計小貼士    德州儀器  

          電源設(shè)計:正確地同步降壓 FET 時序

          • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階段:低...
          • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計  同步降壓  FET  時序  

          德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)

          • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: TI  TPS27081A  FET  

          將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

          • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
          • 關(guān)鍵字: FET  光電  電位器  光耦    
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          fet介紹

          fet  FET:場效應(yīng)管   根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件   --------------------------------------------------------------   1.概念:   場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transisto [ 查看詳細(xì) ]

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