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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
- 關鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
晶體管進入納米片時代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關重要。
- 關鍵字： FinFET
新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案?！? ?業(yè)界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
- 關鍵字： 新思科技 是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米 射頻 FinFET 射頻芯片設計
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發(fā)展，轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
- 關鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
- 關鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET
Intel 4制程技術細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
- 關鍵字： Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
- 關鍵字： 泛林 5nm FinFET
為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼?；旧习雽w技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關鍵字： CMOS FinFET ST
中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片
- 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進來?！备鶕?jù)之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
- 關鍵字： 中芯國際 FinFET
新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合
- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
- 關鍵字： 新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
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