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傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)
- 繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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FinFET之父胡正明談人才培育
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔(dān)任臺積電首任技術(shù)長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來的最大變革。 胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 今天我們就來談?wù)凢i
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控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？
- 盡管距離國際標(biāo)準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發(fā)展焦點已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手，對5G進行全面布局。 “預(yù)計2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運營商的積極行動，業(yè)界紛紛調(diào)高了對5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間
- 半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。 在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團隊，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。 胡正明率領(lǐng)的美國加州大學(xué)柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
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移動處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流
- 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點的SoC也已實現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰(zhàn)?同時，進入20納米技術(shù)節(jié)點之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 5納米節(jié)點是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
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