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分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
- 關鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash跌價深 上游大廠開始對模塊廠讓步
- NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關鍵字： 三星電子 NAND Flash
分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
- 關鍵字： 南科 DRAM Flash
基于FPGA+DSP+ARM的數(shù)據(jù)傳送總線變換器
- 摘 要： 介紹了基于FPGA+DSP+ARM的數(shù)據(jù)傳送總線變換器的整體設計及ARM、DSP和FPGA的器件選型，詳細描述了ARM與DSP、DSP與FPGA的接口電路設計，給出了系統(tǒng)軟件結(jié)構(gòu)設計,詳細描述了HPI驅(qū)動程序的實現(xiàn)過程?！ ≡?/li>
- 關鍵字： FPGA DSP ARM 數(shù)據(jù)傳送
基于FPGA設計EnDat編碼器數(shù)據(jù)采集后續(xù)電路
- 摘要：隨著集成電路技術的發(fā)展，F(xiàn)PGA以其體積小、速度快、功耗低、設計靈活、利于系統(tǒng)集成、擴展升級等優(yōu)點，被廣泛地應用于高速數(shù)字信號傳輸及數(shù)據(jù)處理。EnDat數(shù)據(jù)接口是適用于編碼器的雙向數(shù)字接口。EnDat可傳輸編
- 關鍵字： EnDat FPGA 編碼器 數(shù)據(jù)采集
基于FPGA的仿真系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集控制器IP核設計
- 現(xiàn)代模擬仿真技術[1]廣泛應用在系統(tǒng)設計、系統(tǒng)分析以及教育訓練中。在模擬過程中，存在大量向前端模擬裝...
- 關鍵字： IP核 仿真系統(tǒng) 數(shù)據(jù)采集 FPGA
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