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分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%，至276億美元。 DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是
- 關鍵字： TrendForce NAND Flash SSD
2015年NAND Flash產業(yè)持續(xù)向上，產值成長超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產值將較2014年成長12%，達276億美元。DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是上半年
- 關鍵字： NAND Flash SSD
SSD 2年內價格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格，2年內下滑一半。由于NAND Flash產能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應用范圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。 據韓聯社引用市調機構IHS資料報導，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價格226美元相比，跌幅更達45.1%，意即最近2年內SSD價格幾乎砍
- 關鍵字： SSD NAND Flash
臺內存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內存大廠，終于在日本找到了機會。
- 關鍵字： 內存 NAND Flash
美光咬蘋果大單 力成同樂
- 蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 據了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負責，由于測試時
- 關鍵字： 蘋果 iPhone 6 NAND Flash
臺IC設計前3季 聯發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯位居二三名
- IC設計第3季財報全數公布完畢，累計前3季，聯發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩(wěn)居IC設計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。 根據公開資訊站資料顯示，聯發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設計之冠，表現亮眼，顯示行動裝置需求持續(xù)升溫，第3季旺季效應加持發(fā)威下，相關廠商營運表現都相當亮眼，聯發(fā)科第
- 關鍵字： 聯發(fā)科 觸控IC FLASH
OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結構的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現持續(xù)亮眼以及新產品的問世，整體N
- 關鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統(tǒng)運行到無法預知的狀態(tài)，從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務，包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設計服務，定位
- 關鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加，而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。 DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設計
- 摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時，采用SWI軟中斷的方法實現同時寫片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節(jié)的片內FLASH，98k字節(jié)的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
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