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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)
- TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱F2812)是美國(guó)德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
- 關(guān)鍵字： 技術(shù) 在線 Flash 片內(nèi) TMS320F2812
海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈
- 韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長(zhǎng)線來(lái)看，日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清，目前市場(chǎng)買盤多是邊走邊看，沒(méi)有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND Flash
DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲(chǔ)器
- 在嵌入式系統(tǒng)中，為了實(shí)現(xiàn)程序的脫機(jī)自動(dòng)運(yùn)行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲(chǔ)器中。要實(shí)現(xiàn)一個(gè)嵌入式系統(tǒng)...
- 關(guān)鍵字： DSP TMS320C6711D Flash
TMS320F2812芯片開(kāi)發(fā)中Flash代碼性能的研究
- TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP，集成了多種外設(shè)。對(duì)TMS320F2812開(kāi)發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
- 關(guān)鍵字： TMS320F2812 Flash
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部 - 關(guān)鍵字： 方式 實(shí)現(xiàn) FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過(guò)
基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)
- 基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來(lái)的諸多問(wèn)題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
- 關(guān)鍵字： 心電 監(jiān)控 應(yīng)用 設(shè)計(jì) FPGA 混合 Flash 構(gòu)架 模數(shù) 基于
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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